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ddang100

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】六角晶系结构优化问题

我看到文献上ZnO的结构优化时,要优化a ,c ,和u 值,这几个值应该怎么优化啊?先优化那个值? 在侯老师的讲义上说的先优化a,得到一组E-V,然后用状态方程拟合得到平衡状态下的体积,然后在该体积下得到其他晶胞参数。
看不明白,另外怎么用状态方程拟合?
谢谢
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liluyan

银虫 (正式写手)


ddang100(金币+1):谢谢参与
你可以一次全优化的
2楼2009-11-25 09:14:03
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gavinliu7390

木虫 (著名写手)

叶落鹰飞

★ ★ ★ ★ ★ ★
ddang100(金币+1):谢谢参与
yjmaxpayne(金币+3,VIP+0):谢谢 11-25 21:09
ddang100(金币+2,VIP+0): 11-26 18:21
你说的那种方法只适合立方的。
六角的,必须给定每个压力值,优化后会得到一个体积和能量。
这样多优化几个点,拟合一下状态方程就可以了。
如果你用的vasp的话就不用拟合状态方程,直接用pv就可以。
实在想拟合,有两种办法,一是看懂B-M方程,自己写个程序。
而是想办法在网上找个程序直接下载。
真理是一点点接近的!
3楼2009-11-25 09:42:36
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veryman

木虫 (正式写手)

$_$

★ ★ ★ ★
ddang100(金币+1):谢谢参与
yjmaxpayne(金币+3,VIP+0):谢谢 11-25 21:10
其实我们一般用的状态方程是所谓3阶B-M方程,也就是X的最高次幂是3,我们可以直接用Origin的多项式拟合,选4次多项式拟合,那样肯定可以得到3阶状态方程的解。
对hcp的话我们可以先优化a的值,也就是优化体积和能量的关系;然后再保持体积恒定,优化c/a的值。
4楼2009-11-25 10:43:09
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ddang100

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by gavinliu7390 at 2009-11-25 09:42:
你说的那种方法只适合立方的。
六角的,必须给定每个压力值,优化后会得到一个体积和能量。
这样多优化几个点,拟合一下状态方程就可以了。
如果你用的vasp的话就不用拟合状态方程,直接用pv就可以。
实在想拟 ...

首先谢谢回复,我就是用vasp做,你说直接用pv是什么意思?
5楼2009-11-26 18:16:31
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ddang100

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by veryman at 2009-11-25 10:43:
其实我们一般用的状态方程是所谓3阶B-M方程,也就是X的最高次幂是3,我们可以直接用Origin的多项式拟合,选4次多项式拟合,那样肯定可以得到3阶状态方程的解。
对hcp的话我们可以先优化a的值,也就是优化体积和能 ...

谢谢回复,你的意思是先改变a然后找到能量最低时的体积所对应的a值,然后改变c/a值吗?
6楼2009-11-26 18:24:33
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ddang100

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by liluyan at 2009-11-25 09:14:
你可以一次全优化的

谢谢回复,这样一次全优化好像不太精确
7楼2009-11-26 18:26:48
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stractor

金虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zxzj05(金币+1,VIP+0):讨论奖励! 12-1 22:07
采用拟合EOS的方法进行优化。首先选择一系列体积V,固定体积(ISIF=4),然后拟合某一种EOS,得到平衡体积V0,再再此平衡体积的基础上设置ISIF=4进行弛豫。这样就可得出晶格参数。
8楼2009-12-01 12:05:41
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ddang100

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by stractor at 2009-12-1 12:05:
采用拟合EOS的方法进行优化。首先选择一系列体积V,固定体积(ISIF=4),然后拟合某一种EOS,得到平衡体积V0,再再此平衡体积的基础上设置ISIF=4进行弛豫。这样就可得出晶格参数。

谢谢,有几个问题不清楚,第一,EOS是什么意思?第二,如何规定在INCAR 中设置固定一定的体积,体积的大小和改变量怎么选择?
谢谢
9楼2009-12-03 10:19:06
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doudouding

木虫 (小有名气)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
yjmaxpayne(金币+2,VIP+0):谢谢 12-3 12:16
EOS是状态方程,用pwscf里的ev.x可以拟合EOS
10楼2009-12-03 11:02:30
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