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慧高芯科技（深圳）有限公司

http://https://www.hchiptech.cn/

主要包括光电子器件工艺、MEMS器件工艺等，可支持碎片、4/6/8/12英寸片源加工工艺，覆盖Si、Si3N4、TiO2、SiO2、LNOI、GaAs、InP等主要材料

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华慧微纳定制加�

铜虫 (初入文坛)

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专业: 光子与光电子器件

[商家供应] 超表面代工｜高校/研究所必看！全流程量产+碎片研发

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内容

超表面代工｜高校/研究所必看！全流程量产+碎片研发
科研党/课题组福音✨ 超表面代工不用再东奔西跑！
自家产线，全流程可控，8年+行业经验，合作50+高校/研究所，千片以上器件交付实绩，靠谱度拉满✅
🔧 核心加工能力（全覆盖不踩坑）
◆ 镀膜（介质膜 + 金属膜双覆盖）：介质膜 α-Si、TiO2、Si3N4、SiO2 等；金属膜 Al、Cr、Au、Ag、Pt、Ni、W 等。支持多层膜系与定制膜系设计，膜厚按需求定制。 ◆ 光刻（尺寸 30nm–10μm）：DUV、EBL、紫外、激光直写，多工艺可选，按精度需求匹配。 ◆ 刻蚀：ICP、RIE、IBE、DRIE，适配不同材料与结构形貌要求。 ◆ 表征：台阶仪、SEM、AFM、椭偏仪等全套检测设备，成品与过程均可检测。 ◆ 结构加工：光栅、阵列孔柱、多台阶结构、二维图案、光子晶体等。 ◆ 流片尺寸：4/6/8/12 寸全尺寸流片，支持碎片研发；小批量研发 → 中试 → 量产，一站式完成。

1.产线优势
● 自有产线，镀膜—光刻—刻蚀—表征全流程可控，环节不外包、进度可跟。 ● 8 年 + 行业经验，已合作 50+ 高校/研究所，千片以上器件交付实绩。 ● 光刻多工艺并行（DUV/EBL/紫外/激光直写），同一结构可选择更合适的曝光方案。 ● 刻蚀工艺齐备（ICP/RIE/IBE/DRIE），针对不同材料与深宽比匹配制程。 ● 全尺寸兼容 4/6/8/12 寸，碎片研发与量产共用同一套工艺窗口，结果可放大。 ● 表征设备配套齐全，工艺结果可量化验证，不靠经验拍脑袋。

2.样品性质（必填）

为方便技术团队判断是否可承接、提高沟通效率，请您确认下方信息，拨打公司电话（19727739546vx同号）：

尺寸
结构类型及关键尺寸（线宽/周期/深度）
沉积材质（需镀膜的种类及膜厚）
基底材质
样品形状（晶圆/方形片/异形片）及数量
工艺需求（光刻精度、刻蚀方式、需表征项目）
样品提示

特别说明
● 提供增值税普通发票，款到开始执行工艺。 ● 回收式对接：专业团队全程跟进，从需求沟通到售后跟进，不用您盯进度；无论小批量碎片研发还是大批量量产，均可匹配。

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