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maike01

金虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】紫外-可见测量光学带隙

请教一下大家,在用紫外-可见光谱分析材料带隙的时候。
如果是一种直接带隙半导体,那么我们用(ahv)1/2 vs hv,要是在这种情况下,怎么表示直接带隙材料的间接带隙呢?

是否就换公式成(ahv )2 vs hv呢,还是直接在图里面做切线的时候处理啊? 谢谢!

同样的情况,又怎么表示间接带隙材料的直接跃迁带隙呢?
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chggrg

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
等待解答中.......
引用回帖:
Originally posted by maike01 at 2009-11-20 22:39:
请教一下大家,在用紫外-可见光谱分析材料带隙的时候。
如果是一种直接带隙半导体,那么我们用(ahv)1/2 vs hv,要是在这种情况下,怎么表示直接带隙材料的间接带隙呢?

是否就换公式成(ahv )2 vs hv呢, ...

2楼2009-12-05 11:52:17
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ziligong

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
直接带隙: (ahv )2 vs hv;
间接帯隙: (ahv)1/2 vs hv。

画图后取切线,X轴截距即是。
3楼2009-12-05 13:00:12
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wanggq04

金虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
楼上正解 但是用这种方法算出来的好像不是很准
4楼2009-12-05 17:25:42
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ling860

金虫 (正式写手)

那还有什么方法测得准呢?谢谢
再请教如果是粉体,测吸收谱是混合什么压片测?还是在溶液中呢
引用回帖:
Originally posted by ziligong at 2009-12-5 13:00:
直接带隙: (ahv )2 vs hv;
间接帯隙: (ahv)1/2 vs hv。

画图后取切线,X轴截距即是。

5楼2009-12-06 12:08:47
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