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复旦大学国家级青年人才课题组招收2027级博士研究生（微电子方向）
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复旦大学芯片与系统前沿技术研究院 朱忠赟珅 课题组 一、研究方向 课题组主要围绕后摩尔先进半导体器件与集成技术开展研究，面向未来高密度、低功耗信息器件及三维集成需求，重点研究方向包括： [1] 新型高密度存储器件 研究面向高密度、低功耗存储的新型晶体管及存储单元，包括新型DRAM、铁电器件及多功能存储器件等。 [2] 先进晶体管物理、可靠性与极端环境电子学 开展先进节点晶体管微缩、器件物理与可靠性研究，包括纳米尺度器件、电学噪声与可靠性，以及深低温、高温等极端环境下的器件输运与性能研究。 [3] 器件互连与三维集成 探索新型器件与CMOS、光子芯片等平台的异质集成及三维集成技术，为未来高性能计算、存储及新型算力硬件提供器件基础。 研究工作覆盖器件物理与结构设计、TCAD仿真、微纳加工工艺、材料/器件表征及电学测试等环节，可根据学生兴趣和背景选择具体研究方向。上述方向与研究院后摩尔器件、新型存储及三维异质集成等重点研究方向紧密相关。 二、导师简介 朱忠赟珅，复旦大学芯片与系统前沿技术研究院助理教授A、博士生导师，国家级青年人才、上海市青年人才。 2023年获瑞典隆德大学（Lund University）电子工程博士学位，2024—2026年在美国麻省理工学院（MIT）从事博士后研究，与MIT Microsystems Technology Laboratories主任 Tomás Palacios (IEEE Fellow) 教授合作；2026年加入复旦大学芯片与系统前沿技术研究院。 长期从事先进微纳电子器件结构、工艺及器件物理研究，研究涉及三维GAA晶体管、铁电器件、先进器件可靠性以及深低温/高温电子学等。在 Nature Communications、Science Advances、IEEE IEDM、IEEE VLSI Symposium、IEEE Electron Device Letters 等期刊及国际会议发表论文40余篇，获华为技术挑战赛半导体领域金奖、国家优秀留学生奖学金等。课题组鼓励学生开展具有原创性的器件研究，并积极支持学生参与国际学术会议、国内外科研合作及学术交流。 三、所在单位 复旦大学，芯片与系统前沿技术研究院，集成电路与微纳电子创新学院 研究院主要围绕后摩尔器件、新型存储器、新型计算架构、智能感知、三维异质集成及芯片检测等未来集成电路技术方向开展研究。 工作地点：复旦大学江湾校区，上海市杨浦区 导师主页：https://fics.fudan.edu.cn/ff/51/c22620a786257/page.htm 四、招生对象及基本要求 计划招收2027级普通博士研究生，欢迎国内外高校学生申请。 申请者应： 1. 已取得或于2027年入学前取得硕士学位； 2. 专业背景包括但不限于：微电子、集成电路、电子科学与技术、电子工程、材料、物理、纳米科学与工程等相关专业； 3. 对先进半导体器件、集成电路器件、新型存储或三维集成研究具有浓厚兴趣； 4. 具备良好的科研主动性、逻辑分析能力和英文文献阅读能力； 5. 具有半导体器件制备、TCAD仿真、电学测试、材料表征或相关研究经验者优先，但不要求申请者必须具备完全匹配的前期研究经历。 欢迎具有不同学科背景、希望进入先进半导体器件与集成领域开展交叉研究的同学申请。 具体博士研究生报考资格、招生方式及录取程序以复旦大学2027年博士研究生招生相关规定为准。 五、申请方式 有意申请的同学请将以下材料发送至： zhuzhysh@fudan.edu.cn 建议邮件标题：2027博士申请+姓名+毕业学校+专业 申请材料建议包括： 1. 个人简历（简历包含关键课程成绩+科研经历+英语水平等）； 2. 简要说明感兴趣的研究方向及未来博士阶段研究设想。 国内外高校申请者均欢迎联系！ [ 来自版块群 上海 ] |
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