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gaofree

银虫 (著名写手)

[交流] 【求助】重金求助NiO的禁带宽度问题

在版内找到一些没有参考文献的资料说NiO的禁带宽度=3.5eV, 但我们实验用UV-Vis DRS 得到的结果是2.8eV. 这应该分别是直接跃迁和间接跃迁的结果吧?!但我没找到直接的参考文献来支持. 请大家帮忙!!!!
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gaofree

银虫 (著名写手)

2楼2009-11-20 17:03:09
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青叶子

银虫 (正式写手)

★ ★
gaofree(金币+2,VIP+0):请继续 11-20 17:20
你的材料没有掺杂什么东西吧,还有你的材料的状态是什么。块体的还是粉末状的,这些都有关系的。
3楼2009-11-20 17:15:25
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gaofree

银虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by 青叶子 at 2009-11-20 17:15:
你的材料没有掺杂什么东西吧,还有你的材料的状态是什么。块体的还是粉末状的,这些都有关系的。

没有,是Ni(OH)2焙烧后得到的。是纳米级的粉末。
4楼2009-11-20 17:19:50
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青叶子

银虫 (正式写手)

★ ★ ★
gaofree(金币+3,VIP+0):能谈谈直接跃迁和间接跃迁吗? 11-20 17:33
纳米级的东西由于量子效应它的谱代一般会出现兰移现象,也就是说那个吸收边会向短波(紫外)的方向移动,这也是从侧面说明你的材料是纳米材料。你可以再查一下这方面的资料。
5楼2009-11-20 17:23:36
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zyl2568

金虫 (小有名气)

★ ★
gaofree(金币+2,VIP+0):我也这么认为!但查不到.郁闷! 11-21 11:59
就算是纳米级,特殊形貌也不能差这么多阿,看看文献吧。
6楼2009-11-20 20:30:43
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dpwsj

铜虫 (小有名气)

楼主 我做过NiO  带隙是在3.5eV左右   建议查一下NiO薄膜制备的文章  大多报道值在3.5到3.9eV之间
7楼2009-11-24 00:12:07
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yiyi3688

NiO属不属于压电材料呢
8楼2009-11-25 15:32:30
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litanty

金虫 (小有名气)

★ ★ ★ ★ ★
gaofree(金币+5,VIP+0):谢谢,但我手头有文献做到2.8eV 11-26 17:18
1.可能是青叶子说的:纳米级的东西由于量子效应它的谱代一般会出现兰移现象,也就是说那个吸收边会向短波(紫外)的方向移动,这也是从侧面说明你的材料是纳米材料。你可以再查一下这方面的资料。
2.你制备出的材料是否为均一相
3.就算是制备出的为均一相,但是也可能存在点缺陷导致禁带宽度降低,需要做PL光谱进行进一步验证
9楼2009-11-26 09:40:28
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gaofree

银虫 (著名写手)

无人应助,请斑竹帮忙返还BB
10楼2009-12-17 11:16:46
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