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223、量子隧穿机理新解
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欧洲核子中心预印本doi :10.5281/zenodo.22104004 或 https://doi.org/10.5281/zenodo.22104004 本人学术身份编号：orcid id: 0009-0005-2185-5790，可自行前往学术官网检索查阅相关研究内容。 读者自行复制该编号去 zenodo 官网搜索（用英文标题或英文关键词搜索）就能查看英文、中文pdf全文。 摘要 传统电学理论将电路电流效应、隧穿器件跨势垒现象以及半导体存储的电荷状态变化，归因于实物电子粒子的定向迁移与势垒隧穿。本文结合导体导电特性、电子质量速度约束、光速传播特性、磁存储机理、光纤传输机理以及多类隧穿器件的实验现象开展对比分析，提出一套全新物理机制：在全部电路、半导体器件与隧穿结构中，长距离信息与能量的传输载体为能量包；电子充当工位垫脚石，仅发生局域微小扰动，不存在长距离迁移，也不会发生势垒穿越。隧穿电流与存储电位变化均为能量包跨介质耦合产生的表观效应，并非电子实物粒子穿墙运动。该模型能够统一解释导线导电、磁存储、浮栅闪存、隧道二极管、扫描隧道显微镜的核心物理现象，规避传统电子隧穿理论存在的速度矛盾、粒子源矛盾以及电荷堆积矛盾。基于该物理机理，本文进一步给出材料与器件的工艺优化思路，为工程实现提供理论参考。 关键词： 电流传导；能量包；电子扰动；隧穿效应；浮栅闪存；磁存储；器件工艺优化 |
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