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basanwuyu

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于择优生长取向问题??

有人认为,杂质对太阳能电池的影响不是很大,而晶粒的大小影响更大,晶粒度越大太阳能电池效率越高。(此处没有说到生长取向的重要性。)

    由于冶金法多晶硅技术不是很成熟,最终制备的硅晶粒较小、晶界多,所以想通过后续长时间退火工艺来消除部分晶界。将铸造多晶硅进行退火使其回复、再结晶、晶粒长大。
    但退火会带来其他织构增强,出现其他的生长方向竞相生长。这样多晶硅的主要择优取向就不好了???
                                            感谢大家!
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ddx-k

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骑士II

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小木虫:)(金币+5,VIP+0):3q 11-20 17:54
basanwuyu(金币+6,VIP+0):1.首先感谢ddx-k师兄回复。2.对师兄的深厚专业知识表示敬佩。3.有文献上也表 明,当晶界垂直于器件的表面时(应该和此处你说的:生长的方向与pn结平行是一个意思吧?),晶界对材料的电学性能几乎没有影响。4、师兄你是工作了么?好久没见你在论坛里了,呵呵 11-20 18:11
首先一个晶粒的话是不允许太多杂质存在的。
所以如果晶粒足够,而且晶粒贯穿了pn结,那么其载流子的分离输运就不会受到杂质的太多影响。
我认为生长方面并不重要,关键看载流子的分离输运收集能否在一个晶粒内完成,如果可以那么此时的多晶硅就相当于单晶硅了。

如果你的晶粒很大但是是和pn结垂直的那么这个大晶粒是无用的了,也就是说无论是什么取向的生长,关键是生长的方向应该与pn结平行。

[ Last edited by ddx-k on 2009-11-20 at 11:17 ]
2楼2009-11-20 11:15:42
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