| 查看: 260 | 回复: 1 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 【有奖交流】积极回复本帖子，参与交流，就有机会分得作者 basanwuyu 的 6 个金币 | |||
basanwuyu银虫 (小有名气)
|
[交流]
【求助】关于择优生长取向问题？？
|
||
|
有人认为，杂质对太阳能电池的影响不是很大，而晶粒的大小影响更大，晶粒度越大太阳能电池效率越高。（此处没有说到生长取向的重要性。） 由于冶金法多晶硅技术不是很成熟，最终制备的硅晶粒较小、晶界多，所以想通过后续长时间退火工艺来消除部分晶界。将铸造多晶硅进行退火使其回复、再结晶、晶粒长大。 但退火会带来其他织构增强，出现其他的生长方向竞相生长。这样多晶硅的主要择优取向就不好了？？？ 感谢大家！ |
回复此楼» 猜你喜欢
有没有人能给点建议
已经有5人回复
-
假如你的研究生提出不合理要求
已经有12人回复
-
实验室接单子
已经有7人回复
-
全日制（定向）博士
已经有5人回复
-
萌生出自己或许不适合搞科研的想法，现在跑or等等看？
已经有4人回复
-
Materials Today Chemistry审稿周期
已经有4人回复
-
参与限项
已经有3人回复
-
对氯苯硼酸纯化
已经有3人回复
-
所感
已经有4人回复
-
要不要辞职读博？
已经有7人回复
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫:)(金币+5,VIP+0):3q 11-20 17:54
basanwuyu(金币+6,VIP+0):1.首先感谢ddx-k师兄回复。2.对师兄的深厚专业知识表示敬佩。3.有文献上也表 明，当晶界垂直于器件的表面时（应该和此处你说的：生长的方向与pn结平行是一个意思吧？），晶界对材料的电学性能几乎没有影响。4、师兄你是工作了么？好久没见你在论坛里了，呵呵 11-20 18:11
小木虫:)(金币+5,VIP+0):3q 11-20 17:54
basanwuyu(金币+6,VIP+0):1.首先感谢ddx-k师兄回复。2.对师兄的深厚专业知识表示敬佩。3.有文献上也表 明，当晶界垂直于器件的表面时（应该和此处你说的：生长的方向与pn结平行是一个意思吧？），晶界对材料的电学性能几乎没有影响。4、师兄你是工作了么？好久没见你在论坛里了，呵呵 11-20 18:11
|
首先一个晶粒的话是不允许太多杂质存在的。 所以如果晶粒足够，而且晶粒贯穿了pn结，那么其载流子的分离输运就不会受到杂质的太多影响。 我认为生长方面并不重要，关键看载流子的分离输运收集能否在一个晶粒内完成，如果可以那么此时的多晶硅就相当于单晶硅了。 如果你的晶粒很大但是是和pn结垂直的那么这个大晶粒是无用的了，也就是说无论是什么取向的生长，关键是生长的方向应该与pn结平行。 [ Last edited by ddx-k on 2009-11-20 at 11:17 ] |
2楼2009-11-20 11:15:42