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韩武半导体科技

新虫 (初入文坛)

[交流] 三维不可压缩纳维–斯托克斯方程组:

三维不可压缩纳维–斯托克斯方程组:
?·u = 0
ρ(?u/?t + (u·?)u) = ??p + μ??u + ρg + f

该系统属千禧年公开未解难题,全局光滑强解无公认结论,工程中长期依赖数值近似。针对浸没式光刻薄层微流场,以等温不可压缩牛顿流体、小幅扰动为前提,将速度场分解为基准场与扰动量,代入后截断高阶小量得线性化扰动方程组:
ρ(?u′/?t + (u?·?)u′ + (u′·?)u?) = ??p′ + μ??u′

经润滑降维、频域模态分解与边界封闭,推导出光刻浸液全域连续光滑的扰动解析近似解,满足守恒律与边界约束,无爆破奇点。耦合浸液折射率起伏与光路光程差,建立流场畸变到成像误差的量化映射;配合边界优化与前馈补偿,可将浸液诱导成像畸变预测误差压缩至常规CFD的30%以内,线宽、套刻偏差压制至1 nm级,计算效率大幅提升,可支撑浸没式光刻机精密闭环控制。

本文基于公开理论独立推演,为工程应用层面解析探讨,非千禧年数学问题全局严格证明,存在工况适用边界,欢迎同行核验交流。

#NS方程 #浸没式光刻 #半导体装备 #流体力学

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