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聚吡咯沉积相关求助
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实验内容大致是先在泡沫镍上涂敷氧化镍浆料，后续在电极片上面沉积聚吡咯，主要测cv，gcd，eis三个性能。现在纯氧化镍的数据测出来勉强可以用，但是沉积后的性能基本上比纯氧化镍的都差，cv曲线和最大电流要不比纯氧化镍的小，最好也是跟纯氧化镍的一样，但是gcd的时间比纯氧化镍的小，有时候还遇上冲不上电的情况，充了快1000s只充到零点几V，电势范围是0-0.8V，阻抗测出来也很大有。试过电化学工作站的npv沉积，沉积液用的是0.15M吡咯0.1M氯化锂配乙腈溶液，后续还尝试滴加乙酸也不行。化学沉积法也试过，0.15M的吡咯以及过硫酸铵再加0.25ml乙酸，一开始沉积还边磁力搅拌这样子不行，静置沉积氧化剂减半数据也还是不行 发自小木虫IOS客户端 |
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