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micherno100

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[交流] 【求助】为什么用n型硅基做背光电池？

为什么sunpower要用N型硅做基底，是因为N型硅从原理上更有优势？能做出效率更高的电池吗？不是电子的迁移率更高吗？N型少子不是空穴吗？
本人刚入门学习阶段，求达人赐教！！！！

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1楼2009-11-16 11:17:06

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qfw_68

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有尾巴的青蛙

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micherno100(金币+6,VIP+0):非常感谢！还想请教一下，那是要看多子的迁移率判断是否容易被电极收集吗？不是看少子？ 11-16 13:06
小木虫:)(金币+3,VIP+0):3q 11-16 15:29

优点：
1.N型硅从微电子废料中可方便地获得；
2.电子迁移率高，更容易穿过厚度较大的衬底到达N电极（相比之下，空穴不容易穿过P衬底到达P电极）；
3.P硅带隙略大于N硅，以较薄的P硅面为受光面，更容易吸收阳光，特别是可增加对短波长光的吸收；
4.掺硼 P硅衬底的“硼氧对”会一起效率衰减问题，采用N硅衬底就没有这个问题。
缺点：
1、硼的分凝系数大，所以P硅中的杂质分布比N硅均匀得多；
2、以N硅为衬底，做P面时要扩硼，而扩硼温度高，石英管发黑，内壁掉渣，影响扩硼P硅质量。
其他请楼下补充。