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xirainbow

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】电子流动方向与化学势关系

请问  电子 (不是电流)
在散射区是由化学势能高端流向低端
                            还是低端流向高端?

比如,A电极化学势为  -10,
          B电极化学势为  -8,
电子的运动方向是从A向B
                     还是从B向A?

电子是从source流向drain
   还是从drain流向source ?

[ Last edited by xirainbow on 2009-11-14 at 12:36 ]
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redskywei

木虫 (著名写手)

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xirainbow(金币+3,VIP+0): 11-14 12:11
fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 11-14 17:55
transiestac里,化学势高者,相当于正偏压,你的提问中b端化学势比a端高2eV,相当于2V的偏压,电流从B流向A,电子则应该从A流向B了。
坠入无边的网~~
2楼2009-11-14 09:18:15
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xirainbow

木虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 11-14 17:55
引用回帖:
Originally posted by redskywei at 2009-11-14 09:18:
transiestac里,化学势高者,相当于正偏压,你的提问中b端化学势比a端高2eV,相当于2V的偏压,电流从B流向A,电子则应该从A流向B了。

您好;)
谢谢您的回复;)

可是我在教科书上查到关于接触电势差的说明是这么写的:
当两金属接触后,
电子将从化学势高的金属A流向化学势低的金属 B,
从而导致金属 A带正电,金属 B带负电。于是在两金属的
界面处附加了一个静电场,以阻止电子继续从A流向B。

[ Last edited by xirainbow on 2009-11-14 at 12:35 ]
3楼2009-11-14 12:13:20
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iamddba

铁杆木虫 (正式写手)

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fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 11-16 01:26
对于上面所说这两种情况,我是这样认为的:
(1)在ATK里(TransiestaC没用过,应该和ATK差不多),设置的为电极电压,假定A电极为2V,B电极为0,意味着AB之间电势差为正,有沿A到B的电流,因此电子为由B到A流动;
(2)在图示的接触电势差情况下,化学势意即两金属的费米能级,化学势高的费米能级也高,当接触时,在界面处电子的流动有使得两费米能级齐平的趋势,因此,如楼上所说,电子从化学势高的左侧流向右侧,界面处出现所谓的“偶电层”,作用是阻止电子的流动。
请大家指正
4楼2009-11-15 20:54:59
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redskywei

木虫 (著名写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 11-16 01:27
引用回帖:
Originally posted by iamddba at 2009-11-15 20:54:
对于上面所说这两种情况,我是这样认为的:
(1)在ATK里(TransiestaC没用过,应该和ATK差不多),设置的为电极电压,假定A电极为2V,B电极为0,意味着AB之间电势差为正,有沿A到B的电流,因此电子为由B到A流动 ...

应该是化学势的概念不一样吧,感觉有些人把化学势等同于费米能了,虽然两者有时候是一样的,差别不大,有的从费米能角度来说,费米能高的金属电子会向费米能低的金属移动,这是因为电子喜欢想低能级跃迁(概率上更大)。有的从逸出电势来说:这个概念我也不太清楚,可是上读秀上搜看看,本来要上传个相关图片的,搞半天也没搞上,呵呵。
坠入无边的网~~
5楼2009-11-15 21:16:16
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iamddba

铁杆木虫 (正式写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
qasd(金币+1,VIP+0):xiexie 11-16 21:34
是,楼上说的有道理,这两种情况下的化学势应该不是一回事。
另外,逸出电势应该是和金属的功函数(或逸出功)对应的,也是从费米能级与真空能级的差去考虑

[ Last edited by iamddba on 2009-11-16 at 10:05 ]
6楼2009-11-16 09:54:54
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