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[交流] 在硅中发现一种稳健的新型电信量子比特

在硅中发现一种稳健的新型电信量子比特

在硅中发现一种稳健的新型电信量子比特

量子技术有望通过利用物质在原子尺度上的异常行为,彻底改变计算、通信和传感领域。要将量子技术的潜力转化为实用器件,需要既具有理想量子特性又易于制造的物理体系。作为当今计算机芯片核心材料的硅是一种极具吸引力的平台,因为它能够利用已经建立起来的万亿美元级半导体产业优势。因此,在硅中寻找量子构建单元——量子比特(qubits)——成为一个重要的前沿研究方向。

在一项新的研究中,来自加州大学圣塔芭芭拉分校材料学教授 Chris Van de Walle 计算材料研究组的研究人员在硅中发现了一种稳健的新型量子比特,称为 CN 中心(CN center)。相关成果发表在《Physical Review B》期刊上。

量子比特可以基于晶体中的原子尺度缺陷构建。一个典型的例子是 NV 中心(NV center),它由金刚石晶体中一个氮(N)原子与相邻的一个空位(V,即缺失的碳原子)组成。这些缺陷既能与电子相互作用,也能与光相互作用,使其能够发射单光子(光量子),从而用于传输量子信息或在量子网络中进行处理。

近期研究集中在一种硅中的缺陷——T 中心(T center),该缺陷能够在较长时间内存储量子信息,其性能可与 NV 中心相媲美。此外,它还能在电信波段发光——即能够在光纤中低损耗传输的波长范围。T 中心由碳和氢原子组成,而氢的存在使其结构较为脆弱并对制备条件十分敏感。氢原子在晶体中容易迁移,并且在加工过程中难以控制,这使得实现可重复且可靠的器件制造更加困难。

在这项新研究中,研究人员提出了一种有前景的替代方案:CN 中心,其由碳和氮原子组成。该项目负责人、Van de Walle 研究组的博士后 Kevin Nangoi 表示:“与 T 中心不同,这种缺陷不含氢,因此更加稳健,也更容易在实际器件中实现。”

研究团队利用先进的第一性原理计算机模拟,在原子尺度上对该缺陷进行了建模。由于这种模拟能够预测尚未在实验中实现的新体系的材料性质,因此可以为未来新型器件的设计和制造提供指导。

参与该项目的研究人员、Van de Walle 研究组校友、现任美国海军研究实验室博士后的 Mark Turiansky 表示:“我们的结果表明,CN 中心再现了使 T 中心适用于量子应用的关键电子和光学特性;尤其是,该缺陷在结构上稳定,并能够在电信波段发光。”

在硅中发现一种不含氢、可在电信波长范围发射量子光的缺陷,是连接量子科学与可规模化技术之间鸿沟的重要一步。

展望未来,Van de Walle 指出:“如果能够得到实验验证,CN 中心有望成为量子器件的一种实用新型构建单元,从而在继续使用驱动当今电子技术发展的硅材料的同时,加速先进量子技术的发展。”

Publication details
J. K. Nangoi et al, Carbon-nitrogen complex as an alternative to the T center in Si, Physical Review B (2026). DOI: 10.1103/zy5b-fskh. On arXiv: DOI: 10.48550/arxiv.2511.00754
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