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吉林师范大学宽禁带半导体材料与器件实验室招收2026年入学博士生2名
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实验室简介： 吉林师范大学宽禁带半导体材料生长与器件应用重点实验室致力于发展基于宽禁带半导体材料制备与器件应用的前沿课题，包括但不限于高品质宽禁带半导体材料的外延膜生长、功率器件（电力电子器件）制备与应用、高频功率电子器件研发、紫外光电器件制备与应用、集成功率芯片研发与应用研究。围绕碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石等宽禁带半导体材料的大尺寸外延工艺、缺陷控制、界面物理、微电子器件、紫外光电集成等开展产业化前沿技术研究。在高功率电力电子器件领域，深耕碳化硅外延工艺，优化缺陷控制技术，发展功率场效应晶体管MOSFET，推动相应技术在吉林省企业转化。在紫外光电器件领域，推动解决大尺寸氮化镓外延膜良率问题，发展日盲紫外探测器、高电子迁移率晶体管制造技术。在氧化镓及金刚石等第四代超宽禁带半导体材料领域，突破其高品质外延膜生长技术，为超高功率电力电子器件制造，极紫外光学元件制造提供前沿技术储备。 科研条件： 实验室具有生长6英寸氮化镓（GaN）外延膜的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备1台、生长6英寸碳化硅（SiC）外延膜的高温化学气相沉积（HTCVD）设备1台、大尺寸晶圆烤盘炉1台、等离子体干法刻蚀机1台、磁控溅射镀膜机2台、原子层沉积设备2台、亚微米级紫外光刻机1台、半导体参数分析仪2台、以及高分辨透射电镜、扫描电镜、粉末及薄膜X射线衍射仪、原子力显微镜等。 团队成员： 我团队成员包含教授3人、副教授3人、讲师2人、工程师3人，承担国家科技部重点研发计划、国家自然科学基金、吉林省重点研发计划等项目20余项，团队经费充足。 招生专业：凝聚态物理、无机化学 招生名额：博士2人 联系人：袁龙，email: yuanlong@jlnu.edu.cn 欢迎各位有志青年加入我们团队！让我们一起在宽禁带半导体与器件赛道开疆拓土，实现人生价值！ |
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