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[求助]
光电逸出功+能带弯曲问题求助解惑
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我现在了解到一个良好的光点发射体需要能带向下弯曲，因此可以选择P型半导体N型表面态。但我不理解为什么向下弯曲的表面能带可以减少光电逸出功，为什么能带向下弯时，表面导带底会更靠近真空能级呢，不应该是远离吗？ 感谢解惑！ |
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