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西交利物浦大学/氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强方法/招博士研究生
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博士研究生（全日制） 机构：西交利物浦大学（苏州校区） 学院：智能工程学院 导师： 主导师：Kain Lu Low 副教授 合作导师：刘雯 高级副教授 合作导师：Ivona Mitrovic教授（利物浦大学） 申请截止日期：招满即止 资金支持情况：有资金支持的博士项目（面向全球学生） 项目名称：推进氮化镓基 CMOS 技术的物理驱动与人工智能增强方法 联系方式：请发送邮件至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大学主导师的邮箱地址），邮件主题请注明博士项目名称。 主导师个人简介链接如下： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/KainLuLow 申请要求： 申请博士学位需获得优异的硕士学位，以及一等或二等一荣誉学士学位。在某些学科领域，仅持有学士学位的优秀申请人可个别考虑。 具备良好的英语口语和书面表达能力至关重要。如果第一语言不是英语，申请人的雅思（或同等水平）成绩应达到 6.5 分及以上。本职位对所有符合条件的申请人开放，不限国籍。 学位： 学生在成功完成该项目后，将获得英国利物浦大学授予的博士学位。 资金支持： 该博士研究生职位为期四年，前提是学生学习进展令人满意。奖学金涵盖三年的学费（目前相当于每年人民币 99,000 元）。同时还提供最高达人民币 16,500 元的资金，用于支持学生在奖学金期间参加国际会议。奖学金获得者预计主要在中国苏州的西交利物浦大学开展研究工作。不过，如果项目有需要，他们可以申请到利物浦大学进行短期研究访问。 项目描述： 我们诚邀优秀人才申请一个有资金支持的博士职位，该职位专注于设计和优化下一代氮化镓（GaN）CMOS 集成电路。氮化镓器件凭借其卓越的速度和效率，正在革新电力电子和射频系统，但由于 n 型和 p 型晶体管之间的性能差距，实现全氮化镓基 CMOS 电路仍面临挑战。 本项目旨在通过开发一种新颖的人工智能辅助优化框架来克服这一障碍，该框架能够对材料属性、器件架构和电路级性能进行协同优化。通过将基于物理的工艺计算机辅助设计（TCAD）模拟与机器学习（ML）和多目标优化无缝集成，本研究将探索完整的设计空间：从异质结构工程、p 型场效应晶体管（p-FET）/n 型场效应晶体管（n-FET）协同设计到 CMOS 电路功能。你将深入了解氮化镓器件物理，同时推进跨多个层面创新的计算技术，最终实现高性能、全集成氮化镓 CMOS 电路的开发。 关键领域包括： 1.对氮化镓场效应晶体管（FET）结构（如栅极堆叠、异质结构等）进行建模和优化 2.开发并验证氮化镓器件的 TCAD 模型 3.应用机器学习进行性能预测和设计优化 4.探索迁移学习，将方法扩展到未来的宽带隙半导体 为什么加入我们？ 1.在半导体物理、TCAD 以及人工智能 / 机器学习方面接受跨学科培训 2.可使用高性能计算资源，并与实验实验室开展合作 3.有机会在顶级期刊上发表论文，并在国际会议上展示研究成果 4.有机会塑造节能电子产品的未来 理想候选人： 1.在电气与电子工程、半导体器件方面有扎实的背景 2.具备 Python、MATLAB 编程经验，熟悉 TCAD 或机器学习 3.对人工智能用于器件建模有兴趣或经验者优先 4.对电子器件应用研究和创新充满热情 如需了解更多关于西交利物浦大学博士奖学金和博士项目的信息，请访问： https://www.xjtlu.edu.cn/en/admissions/global/entry-requirements/ https://www.xjtlu.edu.cn/en/admi ... ees-and-scholarship 申请方式： 有意申请者请将以下文件发送至 KainLu.Low@xjtlu.edu.cn（西交利物浦大学主导师的邮箱地址），以便进行初步审核和评估（请在邮件主题中注明项目名称）。 1.个人简历 2.两封正式推荐信 3.阐述你对该职位兴趣的个人陈述 4.英语语言资格证书（雅思或同等水平） 5. 中英文完整成绩单（国际学生仅需提供英文版本） 6.中英文学历验证证书（国际学生仅需提供英文版本） 7. 硕士学位论文的 PDF 副本（或同等的写作样本）及已有的评审报告 |
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