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49003

新虫 (初入文坛)

[求助] hse杂化泛函计算能带,导带和价带整体上移0.4eV是什么原因

我应用的是标准化晶胞结构,a = b = 20.3Å,操作步骤为:
1.结构优化,INCAR文件如下:
#### initial I/O ####
ISTART = 1
ICHARG = 1
LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .TRUE.
LVTOT = .FALSE.
LVHAR = .FALSE.
LELF = .FALSE.
# LORBIT = 11
# NEDOS = 2000

#### Ele Relax ####
ENCUT = 500 # 截断能,越高表示精度越高,默认400eV
ISMEAR = 0 # 和SIFGMA一起决定在做布里渊区积分时,如何计算分布函数。绝缘体0-0.05,金属1/2-0.2,态密度-5,SIGMA不设置
SIGMA = 0.05

EDIFF = 1E-5  # 控制自洽优化收敛的能量标准,即前后两次能量差小于这个值则收敛完成。默认1E-4
NELMIN = 5 #电子自洽的最小步数,默认为2
NELM = 300 #电子自洽的最大步数,默认60
GGA = PE #交换关联势的类型,VASP会根据POTCAR自动确定(我们用的赝势库所对应的为PE),也可不用设置
LREAL = .FALSE.# 表面计算用Auto。决定投影算符在实空间还是倒空间计算,高精度计算用FALSE,在超过20个原子的系统中可以设置成Auto。
ISYM = 0 # 确定是否打开对称性,1、2、3为打开对称性,-1、0关闭对称性。
PREC = Normal # 控制计算精度的参数,会影响多个参数比如ENCUT。一般默认为Normal,高精度的计算比如声子计算时需要设置成Accurate。
IVDW = 10 # DFT-D2矫正范德华力。11为D3矫正。
# LDIPOL = .TRUE.# 两个控制表面偶极校正,对于上下表面不对称,会引入偶极,但是SCF收敛变慢
# IDIPOL = 3

#### Geo opt ####
EDIFFG = -0.001 # 设定结构优化的精度,正值表示能量,负值表示力,建议设置为负值(特别是声子计算时需要设置更小的值)
IBRION = 2 # 决定粒子如何运动。-1表示离子不动;0表示第一性原理分子动力学模拟;1表示准牛顿法进行结构优化;2表示共轭梯度法进行结构优化
POTIM = 0.2 # IBRION=0时,为时间步长,单位为fs;在结构优化计算时(1\2\3),为力的缩放因子,默认为0.5
NSW = 300 # 离子运动的最大步数,在做结构优化和分子动力学模拟中设置。默认值为0,即离子不动。
ISIF = 2 # 0-不计算应力张量;1-结构优化时只计算总的应力,只优化离子位置。2~7计算应力张量。2只让离子位置做优化,晶胞矢量不做优化;3:同时优化离子位置、原胞形状和体积
ALGO=VeryFast #电子最优化的算法。

#### Mag ####
# ISPIN = 2 # 电子自旋极化的开关。默认为1,非磁性计算,自旋非极化体系;2.自旋极化体系。简单磁性体系直接设置成2,magmom不必设置。
2.vaspkit302功能生成KPATH.in,这一步本来应该生成PRIMCELL,但是我选了302功能之后没有生成PRIMCELL文件,我就继续用上一步结构优化生成的CONTCAR文件了。
3.vaspkit251,2,0.05,0.05功能生成KPOINTS文件。我的KPOINTS文件是:
0.050   1   1   1    1  0.050   15    3    5    5    5           # Parameters to Generate KPOINTS (Do NOT Edit This Line)
    16
Reciprocal lattice
    0.00000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     1
    0.00000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.12500000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.25000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.37500000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.50000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.50000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
    0.45833333332500    0.08333333332500    0.00000000000000     0
    0.41666666665000    0.16666666665000    0.00000000000000     0
    0.37499999997500    0.24999999997500    0.00000000000000     0
    0.33333333330000    0.33333333330000    0.00000000000000     0
    0.33333333330000    0.33333333330000    0.00000000000000     0
    0.24999999997500    0.24999999997500    0.00000000000000     0
    0.16666666665000    0.16666666665000    0.00000000000000     0
    0.08333333332500    0.08333333332500    0.00000000000000     0
    0.00000000000000    0.00000000000000    0.00000000000000     0
4.vaspkit生成HSE06自洽计算的INCAR:
Global Parameters
NCORE=4
ISTART =  1            (Read existing wavefunction, if there)
ISPIN  =  1            (Non-Spin polarised DFT)
#ICHARG =  11         (Non-self-consistent: GGA/LDA band structures)
LREAL  = .FALSE.       (Projection operators: automatic)
ENCUT  =  600        (Cut-off energy for plane wave basis set, in eV)
# PREC   =  Accurate   (Precision level: Normal or Accurate, set Accurate when perform structure lattice relaxation calculation)
LWAVE  = .TRUE.        (Write WAVECAR or not)
LCHARG = .TRUE.        (Write CHGCAR or not)
ADDGRID= .TRUE.        (Increase grid, helps GGA convergence)
# LVTOT  = .TRUE.      (Write total electrostatic potential into LOCPOT or not)
# LVHAR  = .TRUE.      (Write ionic + Hartree electrostatic potential into LOCPOT or not)
# NELECT =             (No. of electrons: charged cells, be careful)
# LPLANE = .TRUE.      (Real space distribution, supercells)
# NWRITE = 2           (Medium-level output)
# KPAR   = 2           (Divides k-grid into separate groups)
# NGXF    = 300        (FFT grid mesh density for nice charge/potential plots)
# NGYF    = 300        (FFT grid mesh density for nice charge/potential plots)
# NGZF    = 300        (FFT grid mesh density for nice charge/potential plots)

Static Calculation
ISMEAR =  0            (gaussian smearing method)
SIGMA  =  0.05         (please check the width of the smearing)
LORBIT =  11           (PAW radii for projected DOS)
NEDOS  =  2001         (DOSCAR points)
NELM   =  60           (Max electronic SCF steps)
EDIFF  =  1E-08        (SCF energy convergence, in eV)

HSE06 Calculation
LHFCALC= .TRUE.       (Activate HF)
AEXX   =  0.25        (25% HF exact exchange, adjusted this value to reproduce experimental band gap)
HFSCREEN= 0.2         (Switch to screened exchange, e.g. HSE06)
ALGO   =  ALL         (Electronic Minimisation Algorithm, ALGO=58)
TIME   =  0.4         (Timestep for IALGO5X)
PRECFOCK= N           (HF FFT grid)
# NKRED    = 2        (Reduce k-grid-even only, see also NKREDX, NKREDY and NKREDZ)
# HFLMAX   = 4        (HF cut-off: 4d, 6f)
# LDIAG    = .TRUE.   (Diagnolise Eigenvalues)
5.vaspkit252功能生成band能带图,这是我的生成结果:
+-------------------------- Summary ----------------------------+
          Band Character:    Direct
           Band Gap (eV):    2.5392
  Eigenvalue of VBM (eV):   -5.4925
  Eigenvalue of CBM (eV):   -2.9533
       HOMO & LUMO Bands:        99       100
         Location of VBM:  0.000000  0.000000  0.000000
         Location of CBM:  0.000000  0.000000  0.000000
官方的生成结果是:
Band Gap: 2.5381 eV  (HSE06)
HOMO: -5.8981 eV  (Ured = 1.88 V )      
LUMO: -3.36 eV (Uox := 0.66 V)



我的结果和他的结果导带和价带的位置整体上移了0.4eV,求教这是什么原因?
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