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浴日光能钙钛矿
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[交流]
新型钙钛矿基忆阻器可承受 1,500 多次重写周期
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圣彼得堡国立信息技术机械与光学大学(ITMO University)、俄罗斯科学院约费物理技术研究院(Ioffe Institute of Physics and Technology)和哈尔滨工程大学的研究人员开发了一种稳定的钙钛矿纳米忆阻器,可以承受1500多次重写循环,并且在数月后不会降解。此外,研究人员还实现了创纪录的尺寸和能耗值—70-80 纳米钙钛矿单晶为 130-160 纳瓦。 这一成就可以为超紧凑忆阻器铺平道路,并为神经形态计算提供更快、更节能的超紧凑处理器。 直到 2008 年,随着超纯半导体材料生产技术的发展,忆阻器的实际实施才成为可能。忆阻器根据流过它的电流的大小和方向改变其电阻,它可用于存储信息或节能地处理信息,因为它们比传统硅晶体管消耗更少的能量。这些特性可用于创建节能的信息存储和处理系统,包括神经形态计算、人工智能系统中的信号处理、机器视觉、声学语音系统和生物界面。 钙钛矿是创造新型微电子学(包括忆阻器)的有前途的材料。然而,钙钛矿忆阻器由于其不稳定性而仍然不适合实际应用。问题出在材料本身的结构上:许多科学家使用的多晶钙钛矿薄膜在微晶之间有边界。不仅水分和氧气穿透这些边界,导致钙钛矿发生化学降解,而且金属离子也会从电极中不受控制地迁移,这导致忆阻器在相同电压下不可替代的切换。 该团队首次提出了一种钙钛矿忆阻器,该忆阻器可以承受 1,500 多次重写循环,并且在室内运行数月后不会降解。通过使用欧姆惰性触点和由铅溴化铯 (CsPbBr3)作为半导体。它是基于卤化铅的耐化学性最强的钙钛矿之一。纳米立方体的单晶结构也保证了元素电化学性质在循环之间稳定。钙钛矿单立方体本身位于氧化铟锡和掺硼金刚石之间。这些是化学惰性电极,也保证了忆阻器开关的稳定性。 同时,研究人员设法实现了钙钛矿忆阻器的最低能耗值和尺寸之一---对于 130-160 纳米的单晶,70-80 纳瓦。其他类似的钙钛矿器件需要 200 到 35,000 纳瓦,这些参数使开发非常紧凑和节能。忆阻器也在不到一毫秒的时间内切换,电流幅度相差约4-5个数量级,这使得该器件的信号处理方便快捷。 我们对纳米晶体内电荷的行为进行了建模,并发现正是它们在界面上的积累导致了忆阻效应。事实上,这种电荷的积累会产生偶极矩,从而改变钙钛矿接触区域的能垒。正是这种现象允许忆阻器切换电阻,”该研究的作者、New ITMO 物理与技术研究所的高级研究员解释。 该开发可以为人工智能和机器学习任务提供更快、更节能的超紧凑型神经形态处理器。此外,这种单个忆阻器可以轻松组装成可扩展电路(交叉条),用于单个半导体的逻辑和开关的实际实现。未来,科学家们计划在一系列单晶钙钛矿纳米立方体上进行实验,并测试其他材料作为半导体。 |
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