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[调剂信息] AI 驱动的 GaN 器件与 TCAD 研究:招募博士研究生

考研调剂招生信息

学校: 西交利物浦大学
专业: 工学->电子科学与技术->微电子学与固体电子学
年级: 2025
招生人数: 1
招生状态: 正在招生中
联系方式: ********* (为保护个人隐私,联系方式仅限APP查看)

补充内容

面向先进集成电路和宽禁带半导体技术的快速演进,我们正在招募全职博士研究生(可 2026 入学)。本课题组聚焦:

研究方向
- 半导体器件仿真(tcad)与计算建模
- 物理建模 + 人工智能驱动的混合方法
- 设计╟工艺协同优化(dtco)
- 异质结构器件设计
项目旨在结合物理模型、数据驱动优化与智能化设计框架,实现材料╟器件╟电路的一体化协同优化,并推动下一代 gan cmos 技术的发展。

招生条件
我们期待你具备:
1. 本科或硕士学历(入学前取得),专业包括:微电子、电子工程、物理、材料等相关方向
2. 具备良好的学术成绩与研究能力
3. 积极主动、具有团队合作精神
4. 优秀的英文读写与沟通能力(雅思 ≥ 6.5,单项 ≥ 5.5;或托福/pte 成绩)
    注:新加坡、马来西亚、香港等地区学历申请者 不免语言成绩

培养模式与待遇
- 学制 4 年全日制博士
- 获得 英国利物浦大学博士学位(与英国本部完全一致)
- 学术交流:可申请前往利物浦大学短期访问
- 资助:助教津贴 + 年度会议差旅补助 16,500 元
- 完善的科研环境:synopsys tcad、hpc 计算平台、gan 器件实验与仿真协同支持

导师简介 — dr. kain lu low
西交利物浦大学智能工程学院电子与电气工程系副教授、博士生导师。
经历亮点:
- 美国硅谷 legend design technology 从事 eda 电路模拟工具开发
- 新加坡格芯(globalfoundries)资深工程师:drc/lvs/mask rule
- 曾任上海交通大学副教授(2020╟2023)
- 学历背景:美国普渡大学(本/硕)→ 新加坡国立大学(博士)
- 论文发表于 ieee ted、jap 等国际领先期刊
- 具备“产业 + eda + tcad + 宽禁带器件”复合背景,适合培养跨界型青年科研人才

博士课题详情(gan cmos 方向)
基于物理驱动与 ai 增强的方法,对 gan 异质结构器件及 cmos 电路进行协同优化:
➡ 课题详情:https://www.xjtlu.edu.cn/wp-cont ... Kain_Lu_Low_SAT.pdf

申请方式
欢迎有志于半导体器件与 ai 交叉研究的同学联系报名。
请将简历发送至:kainlu.low@xjtlu.edu.cn
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  • 附件 1 : 博士招生海报-KainLuLow.pdf
  • 2025-11-13 20:52:24, 463.53 K

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