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艾因斯

新虫 (小有名气)

[交流] 超导量子器件中钽薄膜上玻色子峰的近场定位

介绍
        超导电路是量子计算领域的尖端技术,但表面氧化物和无序材料中的损耗限制了其性能。本研究中,我们使用太赫兹散射型扫描近场光学显微镜(s-SNOM)来定位钽膜上的损耗中心,并在0.5 THz附近观察到无定形材料特有的玻色子峰。通过掠入射广角x射线散射(GIWAXS),我们发现新清洗的样品上的氧化物为无定形态,而老化后转变为结晶相。这些发现有助于改进低损耗超导电路的制造过程。

        在超导量子计算中,关键目标是提高量子比特的保真度以实现最小纠错。退相干效应,主要由非晶材料和缺陷中的电偶极子引起,是当前的主要障碍。因此,减少氧化和控制金属表面化学反应对提升器件性能至关重要。

        钽作为一种超导材料,性能优于传统材料,但表面氧化物仍然是一个挑战。氧化钽(Ta2O5)有结晶相和非晶相两种形态,非晶相中钽的配位数较少。目前尚不清楚这种结构是否延续到金属-空气界面。软x射线光电子能谱分析揭示了五氧化物和亚羧酸相的存在,增加了非晶氧化物的复杂性。

        非晶态材料在低温下的异常热力学行为由隧道二级系统(TLS)模型解释(图1)。TLS是超导器件中普遍存在的噪声和保真度损失源。由于TLS结构多样,消除它们并不容易。TLS模型成功描述了有源超导器件中应变对TLS的影响,以及低温下由过量振动态密度引起的热容峰值,即玻色子峰。玻色子峰是物质非晶态的普遍特征,可在多种无序系统中观测到。

        在本项研究中,我们探讨了钽表面的氧化物相。s-SNOM揭示了红外和太赫兹近场响应的两个不同表面相。太赫兹纳米光谱证实了非晶相的存在,而GIWAXS确认了非晶态和晶体氧化物。结合THz s-SNOM和GIWAXS技术,我们能够在纳米尺度上区分晶体相和非晶相,为超导量子计算材料的处理提供了宝贵信息。

测试
        在图1中,我们使用s-SNOM技术研究了Ta薄膜的地形差异及其对近场光学性质的影响。AFM成像揭示了两个不同的区域:高架区(A)和低洼区(B)。太赫兹激励下的近场图像显示了这两个区域之间的散射对比。

        图1. (a)使用s-SNOM探测纳米尺度光物质相互作用的操作原理(左):一个宽带脉冲(中红外/太赫兹)准直到金属探针尖端,周期性地敲击样品表面,尖端产生纳米焦点以超过衍射极限。被询问的样品信息通过尖端-样品对之间的偶极子-偶极子相互作用被编码到尖端散射场中。针尖敲击频率(Sn)的高阶谐波(n次)下的解调散射场突出了纳米尺度上的局域近场响应。含有TLSs(红色)的非晶态氧化物(顶部中间部分)的结构,在两种构型之间的原子隧穿形式存在。TLSs由双孔势建模,能量差为E = p∆2 0 +2,其中∆0为井间隧穿率,为不对称偏置(右上)。用太赫兹纳米光谱的特征对数正态分布(固体紫色)描述玻色子峰,以及德拜固体∝ν2(绿色虚线)(右下)的典型振动态密度曲线。用(b) AFM相位的s-SNOM检测,(c,d)在白光模式下,来自中红外和太赫兹纳米成像的三次谐波s-SNOM散射信号(S3)的振幅。

        图2展示了通过太赫兹纳米光谱分析得到的吸收系数α(ν)。对于溶剂清洗的样品,在0.65 THz以下的频率范围内,A区和B区的吸收行为出现分异,其中A区的吸收随频率降低而增加,B区则表现出玻色子峰特征。RIE处理的样品显示出归一化吸收系数的降低,表面变得更加金属化,并且玻色子峰消失。

        这些结果表明,非晶相Ta2O5存在于Ta薄膜的特定区域,这一点通过玻色子峰的存在得到了证实。

        图2.在溶剂清洗和rie处理的Ta表面的太赫兹纳米光谱。(a、b)规范化吸收系数,α(ν)/ν2,从校准太赫兹纳米波谱与多个高阶谐波信号(Sn,n≥2):局部的太赫兹光谱吸收地区B(蓝色)遵循对数正态分布作为特征玻色子峰特征未蚀样品(a)和服从幂律后里氏表面蚀刻(b).在区域A的局部太赫兹光谱吸收(红色)遵循幂律(红色虚线,引导为眼睛),以降低太赫兹频率。绘制了高电阻率(非金属)硅(黑色)的光谱吸收特征以进行比较。插入了溶剂清洗后的Ta表面(a)和反应离子刻蚀法(RIE)后的(b)的AFM相图像。

        RIE处理去除了玻色峰特征,同时保留了空间变化的近场光学响应。因此,研究人员对超导器件常用的其他表面处理方法进行了评估。与用于THz和IR测量的大半径探针不同,他们采用了高纵横比的AFM探针来研究经过piranha、BOE和RIE处理后的表面结构(见图3)。在经piranha清洗的样本上,区域A比区域B高出约3纳米(而在用溶剂清洗的情况下,这一高度差约为1纳米),这表明piranha清洗会导致区域B的材料被去除。区域A中平行条带之间的横向间隔约为70纳米,而改变蚀刻方法(使用BOE或RIE)并不会对该结构产生影响。另外,通过不同的处理方法(BOE、piranha和RIE),区域A的表面覆盖率观察到是相似的,分别是24%、35%和28%。

        在蚀刻和溶剂清洗的样品中,A区域保持一致不变,但我们确实观察到B地形的变化。从经过(piranha solution)清洗的样本开始,与溶剂清洗的样本相比,B区域较为光滑,且形成了较弱的条纹图案(大约1纳米的波纹),代替了在溶剂清洗样本的B区域观察到的无序结构(见图3a中的线条轮廓)。以A区域的条纹作为参考点,这些较弱的条纹近乎垂直于一维(1D)条纹排列。我们在BOE(缓冲氧化物刻蚀)和RIE(反应离子刻蚀)处理的样本上观察到相同的结构,B区域出现具有类似波纹和周期性的条纹。由于所有表面处理都导致两个具有一致地形的表面区域——包括移除材料的RIE——因此A区域中的一维(1D)条纹代表了薄膜成核过程中形成的结构。

        图3.AFM和GIWAXS。(a)piranha solution处理、(b)缓冲氧化物蚀刻(BOE)和(c) RIE处理后Ta膜的AFM高度图像。线轮廓显示在每个AFM图像的下面,每个扫描的方向由上面的图像中相应的箭头显示。蓝色扫描穿过区域A的一维条纹,橙色扫描穿过区域B的垂直条纹。(d) 2D GIWAXS模式记录从溶剂清洗的Ta薄膜和老化的薄膜显示表面氧化,由于暴露在环境氧气。(e)与(d)中所示的帧相对应的积分散射信号(qxyz),以及另外四个与taox相关的不同表面信号的例子(#1-4)。

        在bcc金属中,一维条纹的生长模式与W相似,归因于bcc(110)表面的各向异性扩散。表面缺陷如阶梯边缘容易氧化,导致薄膜表面强近场对比。Ta表面在环境氧下从纯金属转变为亚稳态亚氧化物(TaOx),最终形成稳定的五氧化物(Ta2O5)。使用GIWAXS扫描建立表面-地下结构模型,研究薄氧化层。

        图3d展示溶剂清洗和老化溶剂清洗Ta薄膜的2D GIWAXS图像及集成剖面。新鲜溶剂清洗的Ta材料主要包含α-Ta,而两周后出现新的布拉格峰,指示部分氧化和β-Ta2O5相的形成。入射角扫描显示信号来自薄膜上表面,横向采样揭示亚稳态表面氧化物。β-Ta2O5相在2D GIWAXS中特定区域显示,表明其多面性增长。

        通过XPS分析蚀刻后表面成分和氧化物厚度。结果显示金属Ta约占30%,其余为氧化物,适用于溶剂清洗、piranha solution和boe处理样品。RIE处理导致Ta 4f铁核水平明显变化,尤其是金属Ta组分增加,与之前研究一致。使用包含Ta、TaOx和Ta2O5的模型估算表面氧化物厚度:溶剂清洗为2.9 nm,piranha solution和boe处理为2.8 nm,RIE处理显著减至0.8 nm。

        图4.单色铝Kα XPS光谱。在正常排放条件下收集的溶剂清洗和RIE处理样品的Ta 4f(a,b)和O 1s(c,d)水平,以及用于拟合的组分的相对强度。实验光谱(a、c)显示为偏移的蓝色实线,拟合信封(去掉背景)显示为蓝色虚线。Ta 4f核心能级由两组主要的自旋轨道分裂峰组成,其中低结合能双态(Ta 4f7/2,21.6 eV)对应于金属Ta,而高结合能双态(Ta 4f7/2,26.7 eV)为Ta2O5。对于大多数样品,亚羧基组分在中间结合能上的贡献很小。为了避免过拟合,使用单对称偶态来模拟亚贡献。O 1s水平符合晶格氧、表面羟基(-OH)和含氧有机物(C=O)的贡献。

        Ta 4f水平复杂,而O 1s水平简单。比较溶剂清洗和RIE处理样品,O 1s正常发射轮廓相似,强度降低22%。XPS显示,溶剂清洗样品表面羟基增加;BOE有适度增强,而RIE无显著增加。

        RIE处理后,Ta 4f变化表明去除表面氧化物,对超导器件制造关键。设备内在损失用tan⁡Ftanδ表示,其中\tandelta\tandelta是材料损失切线,F是填充因子。非晶态氧化铝低温损失切线大,如1.6×10−3sim1.6×10−3,而结晶蓝宝石为∼2×10−8∼2×10−8。尽管缺乏关于TaOx的文献报道,但观察到类似趋势。减少金属-空气界面上的氧化物层可最小化填充因子,从而减少损失区域。

        溶剂清洗样品上测量到B区玻色子峰,且GIWAXS中无晶体氧化物相,证明有损a-TaOx存在。XPS显示表面结合羟基,可能是TLS候选。RIE处理样品氧化层减薄,非晶材料去除,证实其为制备Ta薄膜的有效技术。

结论
        实验揭示了钽(Ta)薄膜上强烈的近场光学对比,源于一维纳米盒与平面区域的不同氧化行为。太赫兹纳米光谱技术在平坦区域探测到0.5太赫兹处的玻色子峰,表明非晶材料特性,由GIWAXS证实的钽膜上缺乏晶体氧化物相支持此发现。这些玻色子峰与量子计算中的TLS相关,为可视化量子退相干源提供了新途径。太赫兹s-SNOM的应用有助于优化量子材料处理,并加深对非晶态材料的理解。此方法对于研究二维材料尤其有用,增强了对无序或非晶态形式材料如二氧化硅、h-BN、石墨烯和金属二卤化物的分析能力。
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