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南方科技大学蔡月飞课题组招收2026年秋季入学的博士研究生-氮化镓半导体器件
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【南科大蔡月飞课题组招收2026年秋季入学博士】 研究研究方向：主要围绕氮化镓半导体光电器件的设计、制备、测试及分析，包括GaN HEMT与microLED的单片集成用于可见光通信(VLC)和增强 现实（AR），二次外延集成发光探测器件，集成光子学和量子光学器件等。教师个人主页：https://faculty.sustech.edu.cn/caiyf/ 博士生和硕士生申请者，请附上本科、硕士的成绩单，以及四六级英语成绩。申请的具体细则如下： 一、福利待遇： 按照学校规定的奖学金额度发放： 博士生：10.01万元/年(开题前，含助研、助教岗位津贴), 11.10~13.15万元/年(开题后，含助研、助教岗位津贴)； 二、职责： 在PI 指导下，完成学位论文相关的研究工作； 掌握学术研究和论文写作的基本方法和技巧。 三、要求： 恪守诚实守信的学术道德准则； 博士生申请者的本硕GPA均不低于3.0（满绩为4），此为硬性要求，具体算法请参考：GPA-南科大wiki 具有良好的英文读写能力； 能与老师沟通，实事求是，认真负责，积极主动； 备注： 拥有 GaN或化合物半导体的相关研究经验、具有微纳加工方面的经验和熟悉半导体器件的设计、测试和分析的，优先考虑。 四、申请方式： 有意申请将以下材料发送至邮箱：caiyf@sustech.edu.cn，并以“申请博士/硕士_本人姓名_毕业院校”为作为邮件标题： 个人简历（包含完整的学术论文列表，中英文均可）； 本科、硕士的成绩单（GPA算法请以南科大算法为准、自行计算，具体算法"南科大wiki"的"GPA"板块有）； 英语四六级或托福雅思成绩单； 发表论文原文或截图。 五、申请时间： 博士的正式申请一般在11月左右，面试在11月中下旬左右。具体时间请关注每年的研究生招生简章。 具体报考信息链接：南方科技大学研究生招生网 https://gs.sustech.edu.cn/#/admission/index 有意向申请的朋友请直接发邮件联系，谢谢！ |
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