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1197800756新虫 (小有名气)
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[求助]
Material studio软件catep模块计算带隙求助已有1人参与
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想问下各位大佬,使用material studio软件的castep模块计算LiLaZrO电解质晶胞(大约100多个原子)的带隙有4eV左右,将晶胞中的一个Zr原子替换为Ta原子后再计算带隙,就只有0.05eV了,这是为什么呀?应该如何调整呢? 发自小木虫手机客户端 |
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rlafite
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
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将一个Zr原子(Zr⁴⁺)替换为Ta原子(Ta⁵⁺)后,带隙急剧降至0.05 eV(几乎金属化),这不是物理真实的LLZO-Ta掺杂行为,而是很可能源于计算建模不当 测试纯系统:先重算纯LLZO,确保带隙稳定~4 eV。 文献基准:Ta掺杂LLZO带隙~3.5 eV (DFT+U, Phys. Chem. Chem. Phys., 2021)。若仍异常,检查输入文件(.castep)。 高级校正:若需实验精度,用GW方法(CASTEP支持,但贵);或 SCAN泛函。 潜在问题排查: 运行DOS图:若费米有峰,确认电荷不平衡(总电荷应为0)。 若晶胞太大,试96原子标准单元(Li₇La₃Zr₂O₁₂ ×4)。 软件bug:更新Materials Studio到最新版;CASTEP版本>20。 预期结果 正确补偿后,带隙应为~3-4 eV,Ta d态略微推低导带底。 离子导电率:Ta掺杂提升Li⁺迁移(~10⁻⁴ S/cm),但电子导电微增(需抑制以防短路)。 |
2楼2025-10-09 10:50:52













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