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西交利物浦大学/GaN电力电子器件方向/招博士研究生
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西交利物浦大学/ GaN电力电子器件方向- 博士招聘（免考，英国利物浦大学博士学位） 联系方式：请将cv、成绩单及发表论文发送至 jie.zhang06@xjtlu.edu.cn 1. 西交利物浦大学和英国利物浦大学简介 西交利物浦大学的博士可于每年三月、六月、九月、十二月办理入学； 录取后，学生将注册为英国利物浦大学的海外博士生，博士毕业后将获得英国利物浦大学（英国罗素大学集团成员，2014上海交大世界大学学术排名101-150）颁发的博士文凭。 2. 课题项目 氮化镓（gan）基半导体材料具有高击穿场强、高电子饱和漂移速度、稳定的化学特性和强抗辐照能力等诸多优势， gan基高电子迁移率晶体管（hemt）在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域（如数据中心、新能源汽车、分布式支电、各类消费电子等）具有十分广阔的应用前景和市场机遇。本项目面对gan hemt可靠性瓶颈，聚焦于创新界面钝化技术，突破动态导通电阻退化和电流崩塌效应等关键问题，开发满足工业级标准的高性能功率器件。 在苏州经济产业规划中，宽禁带化合物半导体氮化镓产业链是重点发展的高新技术支柱产业之一。西交利物浦大学位于苏州工业园区独墅湖畔，国际化气氛浓厚。本课题组拥有近千平洁净间及功率器件制备所需全套工艺设备；与国内国际学术机构保持着密切的合作和交流。 3. 导师团队 导师团队包括张洁博士(西交利物浦大学，助理教授，学院本科生主任，在gan材料与器件领域具有坚实的研究基础) ，刘雯博士(西交利物浦大学，高级副教授，先进半导体研究中心主任)，Dr. Wenqing Liu (英国利物浦大学，教授，系主任) 。每个学生都会有一个利物浦大学的相关老师进行合作指导，课题组近年来多次在ieee顶会和顶刊上发表文章。 4. 博士待遇及其他 西浦博士生将获得英国利物浦大学的博士学位（与英国本土利物浦大学学位完全相同）；学制4年；助教补助 + 16,500元会议出差补助；提供利物浦大学交换学习机会，时间根据项目具体需要。 5.招生要求： 1）已获（或在博士入学前获得）本科及以上学位，成绩优异； 2）专业背景为微电子、物理学、电气工程、材料相关专业硕士或本科学历； 3）扎实的研究基础，团队协作精神和英文写作能力； 4）具备流利的英语交流能力和熟练的读写能力（雅思6.5分，单科不低于6.0。或提供托福、pte成绩），两年内毕业于英语为第一语言国家的同学可豁免语言成绩，新加坡、马来西亚、香港等地区不在英语免考范围。 关于研究内容及导师详情请点击： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/jiezhang06 关于申请及录取要求请点击： https://www.xjtlu.edu.cn/zh/admi ... t-phd#opennewwindow |
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