[交流] 交流负性光刻胶灵敏度以及工艺曝光时间问题？

首先描述一下我自己的困惑。通过资料和文献的查阅我发现负性光刻胶的灵敏度是根据曝光能量（横坐标，mJ/cm2)与归一化膜厚度（D，%）做一个曲线，然后一般灵敏度是膜厚为D0.5时横坐标的数值。而横坐标又是光源的功率（mW/cm2）乘以时间t(s)算出来的。很多时候D0.5时的灵敏度为50-100 mJ/cm2。这种时候用365的i线光刻机照射几秒就可以了，为什么经常看到工艺曝光时间写5 min或者10 min。按理说不应该是上面横坐标的几秒钟吗？请问这种灵敏度曲线和后面光刻的曝光工艺的时间有什么关联呢？很疑惑，刚接触这个领域。比如下面图片中的D0.5为33.15 mJ/cm2（Adv. Funct. Mater. 2025, e09278）。但是文中工艺曝光时间确实10 min。感觉这10 分钟太长了。但是灵敏度确实33.15 mJ/cm2这么小。我都不太理解这个图怎么做出来的。 发自小木虫手机客户端

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