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墨子实验室-宽带隙半导体表征与器件课题组招联培研究生
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墨子实验室宽带隙半导体表征与器件课题组招联合培养研究生，提供生活补贴和住宿。 （一）单位和导师介绍 墨子实验室是公益二类事业单位，由河南省科学院牵头组建，中国科学院半导体研究所、武汉大学、成都电子科技大学等单位参与建设。实验室总部位于中原科技城，聘任中国科学院院士、河南省科学院院长徐红星担任实验室主任。实验室坚持对标国家实验室和全国重点实验室，致力于搭建光电子领域一体化科研平台，提升原始创新能力，进一步在微纳光电子芯片、精密传感及成像技术、半导体激光器及集成技术、半导体材料调控及精密测量等领域，突破一批关键核心技术，推动在重点领域的应用示范，发挥引领和带动作用，为河南及全国半导体光电子产业结构重塑和转型升级提供科技支撑。合作导师是国家级高层次青年人才，主要从事半导体材料光电表征和器件的研究，包括瞬态光谱、载流子动力学和缺陷表征，光电探测器，薄膜太阳能电池和硫化物半导体等。在Nat. Photonics, Nat. Energy, Nat. Commun., Matter, Angew. Chem. Int. Ed., Nano Lett., ACS Nano,和Adv. Mater.等期刊发表SCI论文170余篇。 （二）研究方向 （1）光电探测器方向 基于宽带隙半导体的X射线探测器和成像芯片研究。主要包括以下三方面：（ⅰ）宽带隙半导体的MOCVD外延；（ⅱ）X射线探测器设计和流片；（ⅲ）X射线探测器测试和分析。 （2） 功率芯片方向 参与设计研发基于Ga2O3的功率芯片。主要包括以下三方面：（ⅰ）Ga2O3的MOCVD外延；（ⅱ）功率芯片设计和流片；（ⅲ）功率芯片测试和分析。 （3）光学仪器和激光加工方向 参与设计研发宽带隙半导体表征和检测设备：发展紫外激光光谱表征系统，实现氧化镓、氮化镓、碳化硅和金刚石等晶圆的非接触、在线检测，获得缺陷和载流子动力学等信息。主要包括以下两方面：（ⅰ）超快紫外光谱研发；（ⅱ）紫外显微光谱研发。 参与设计研发宽带隙半导体表征、加工和检测设备。主要包括以下两方面：（ⅰ）紫外高功率脉冲激光器研发；（ⅱ）激光精密加工系统、激光剥离、键合设备研发。 （4）射频方向 参与设计研发基于GaN的射频芯片。主要包括以下三方面：（ⅰ）GaN的MOCVD外延；（ⅱ）射频芯片设计和流片；（ⅲ）射频芯片测试和分析。 （三）联培生要求 1. 申请者应为在读研究生； 2. 材料、光学、物理、微电子及相关专业； 3. 积极主动，勤于思考，有良好的团队合作精神和严谨的学术态度； 4. 联培生需征得原单位导师同意，在墨子实验室进行课题研究，回原校答辩。 （四）申请材料 有意者将个人简历及相关证明材料(学历学位证书、科研成果、项目经历等扫描件)发至联系人杨老师：z1821778301@163.com，邮件主题：姓名_院校_联合培养 我们的团队期待您的加入！ |
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