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华中科技大学材料学院 翟天佑-诸葛福伟团队招收二维半导体存储材料与器件方向推免生
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团队隶属新材料与器件研究中心，依托华中科技大学材料科学与工程学院，材料成形与模具技术全国重点实验室等平台开展二维半导体材料与功能电子器件方向的研究。 中心成员包括10名教授、1名副教授、1名工程师，活跃在半导体光电子材料和功能器件领域研究一线，研究方向主要包括光电功能材料、集成光电子器件、类脑神经形态器件、储能材料与器件、发光材料与器件和电催化材料与器件等。中心先后承担了基金委杰青/优青/面上/青年/重点/重大培育/仪器研制、科技部重点研发计划、国家重大科学研究计划、湖北省创新群体/杰青等50余项国家级/省部级科研项目，研究经费充裕。中心拥有电子束/光刻/激光直写系统、高低温探针台、原子力显微镜、x射线衍射仪、激光共聚焦拉曼光谱仪、低温强磁场扫描探针显微镜等仪器，可以实现从材料制备、结构表征、器件加工到性能测试的系列表征和测试。 中心负责人：翟天佑，华中科技大学材料学院教授、博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，国家特殊支持计划科技创新领军人才，入选中国化学会会士、英国皇家化学会会士和全球高被引学者。发表sci论文500余篇，引用4.3万余次，h指数116。，荣获2024年度湖北省青年科技创新奖、2023年度湖北省自然科学奖一等奖、2022年度中国半导体十大研究进展等。担任中国化学会理事、中国硅酸盐学会青年委员会副主任，infomat副主编等。 诸葛福伟，华中科技大学材料学院教授，博士生导师，入选国家高层次青年人才计划。 本人2006年本科毕业于复旦大学，2011年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，2011-2016年在日本大阪大学、九州大学从事博士后研究。主要从事二维半导体材料与功能器件研究，面向信息存储、视觉感知等场景发展高性能铁电晶体管、浮栅晶体管型二维半导体器件。目前，以第一、通讯作者身份已在nat. commun.、adv. mater.、j. am. chem. soc.、acs nano、adv. funct. mater. 等期刊发表论文80余篇，引用5000余次，h因子40；授权发明专利4项。主持基金委面上、青年项目和企业横向课题等，作为研究骨干参与基金委联合基金重点、科技部重点研发计划等项目。 详细可参考：https://faculty.hust.edu.cn/zhugefw/zh_cn/index.htm 招生方向：二维半导体存储材料与器件 招生类型：博士1名、学硕2名、专硕1名，2026年秋入学 招生要求： （1）应获得本校推免资格； （2）材料、物理、化学、微电子等专业背景； （3）应有良好的沟通能力和团队合作精神； （4）具有良好的英语听说读写能力； 培养方向： （1）二维半导体材料的规模集成 （2）高性能二维半导体存储器关键技术 （3）二维半导体材料与器件的光电调控与智能感知 团队科研经费与实验条件充裕，有意请发送简历和支撑材料至zhugefw@hust.edu.cn，标题格式“硕士申请-姓名-学校” |
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