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西交利物浦大学刘雯课题组招收氮化镓功率器件方向博士生（英国利物浦大学学位）
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西交利物浦大学（苏州工业园区） – 刘雯课题组-GaN电力电子器件方向- 博士招聘（免考，英国利物浦大学博士学位，受教育部认证） 联系方式：请将CV、成绩单及发表论文发送至wen.liu@xjtlu.edu.cn 1. 西交利物浦大学和英国利物浦大学简介 西交利物浦大学的博士可于每年三月、六月、九月、十二月办理入学； 录取后，学生将注册为英国利物浦大学的海外博士生，博士毕业后将获得英国利物浦大学（英国罗素大学集团成员，2014上海交大世界大学学术排名101-150）颁发的博士文凭。 2. 课题项目 氮化镓（GaN）基半导体材料具有高击穿场强、高电子饱和漂移速度、稳定的化学特性和强抗辐照能力等诸多优势， GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域（如数据中心、新能源汽车、分布式支电、各类消费电子等）具有十分广阔的应用前景和市场机遇。本项目面对GaN HEMT可靠性瓶颈，开发满足工业级标准的高性能功率器件。 在苏州经济产业规划中，宽禁带化合物半导体氮化镓产业链是重点发展的产业之一。西交利物浦大学位于苏州工业园区独墅湖畔，国际化气氛浓厚。本课题组拥有近千平洁净间及功率器件制备所需全套工艺设备；与国内国际学术机构保持着密切的合作和交流。 3.导师介绍 刘雯博士，西交利物浦大学智能工程学院电子与电气工程系高级副教授，西交利物浦大学先进半导体研究中心执行主任，博士生导师，英国高等教育协会会士，国际电气电子工程协会（IEEE）电路与系统、电子器件学会苏州分会负责人，国家第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)青年创新促进委员会副主任委员，西浦智能工程学院-红与蓝微电子氮化镓功率器件联合研究中心主任。长期从事宽禁带半导体氮化镓电力电子器件及其单片功率集成芯片技术研究。迄今发表IEEE EDL、TED、TPE等SCI收录论文50余篇，EI收录会议论文60余篇，在功率半导体领域国际顶级会议ISPSD发表通讯作者论文5篇。担任IEEE国际集成电路设计与工艺会议出版负责人（2023）和会务负责人（2021），第五届全国宽禁带半导体学术会议组织委员会委员（2023，2025），功率半导体器件与集成电路研讨会程序委员会委员（2024，2025）。已培养毕业博士生9名，硕士生20余名，申请国家发明专利20余件，授权13件，编制行业标准4项。主持十余项各级研发项目，包括国家科技重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目、横向课题等，2018年以来作为项目负责人已获经费千万元。 4.研究方向：（本招聘持续进行，欢迎随时申请） 1)高性能氮化镓功率器件 2)器件可靠性测试及寿命预测 5. 博士待遇及其他 西浦博士生将获得英国利物浦大学的博士学位（与英国本土利物浦大学学位完全相同）； 博士项目年限为3年；博士奖学金包括：学费9万/年 (3年) + 助教补助 + 额外16,500元会议出差补助；提供利物浦大学交换学习机会，时间根据项目具体需要。 6.招生要求： 1）已获（或在博士入学前获得）本科及以上学位，成绩优异 2）专业背景为微电子、物理学、电气工程、材料相关专业硕士或本科学历 3）扎实的研究基础，团队协作精神和英文写作能力 4）具备流利的英语交流能力和熟练的读写能力（雅思6.5分，单科不低于6.0），两年内毕业于英语为第一语言国家的同学可豁免语言成绩 关于研究内容及导师详情请点击： https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/WenLiu |
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