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集成电路关键材料国家工程研究中心（学硕）欢迎各位同学前来咨询18353010708
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集成电路关键材料工程研究中心积累了近60年材料研发经验。2021年，根据国家发改委要求，围绕关键核心技术突破、重大科技成果工程化和产业化应用，以服务国家重大战略任务和重点工程实施为目标，支撑解决卡脖子问题，原“半导体材料国家工程研究中心”通过系统内部整合名称变更为“集成电路关键材料国家工程研究中心”，通过严格的评价考核成功纳入国家发改委首批新序列国家工程研究中心。目前工程中心已涵盖集成电路半导体硅材料、集成电路化合物半导体和锗材料、集成电路靶材等多个集成电路关键材料，不断开展技术创新和成果转化，有力支撑和保障了我国集成电路产业链供应链安全，推进了我国集成电路关键材料技术和产业水平的整体进步和发展。 集成电路硅材料主要开展8英寸、12英寸、大直径单晶的研发，建立12英寸研发平台，提升技术水平形成批量供应能力；通过研究直拉单晶生长技术、区熔单晶生长技术、硅抛光片加工技术、硅部件加工技术，开展半导体材料工程化技术创新，提高自主创新能力，加快成果转化。 集成电路靶材和稀贵金属及功能材料：针对集成电路关键核心材料高纯金属及其合金靶材，开展高纯原材料提纯、靶材微观组织控制、高可靠焊接、精密加工及高洁净清洗等技术开发及工程化研究，实现靶材产业化；针对高端电子元器件用超细贵金属粉体、浆料及电真空焊料等，开展成型工艺、微观组织性能调控机理及关键加工技术的研究。 集成电路化合物半导体和锗材料以探测器级高纯锗晶体生长技术、无位错锗单晶生长技术、低吸收硫系玻璃红外光学窗口材料制备成型技术和红外光学窗口材料镀膜技术为重点研究方向。 师资力量：在集成电路硅材料、化合物半导体和锗材料、高纯金属靶材等领域拥有包括院士、国务院特殊津贴、青年研究人员的专家和技术人员，具有深厚的研发和产业化经验。其中中国工程院院士1人，享受国务院特殊津贴10人，博士10人，研发人员200余人。在研究生培养方面，贯彻“严格招、尽心育、用之长、尽情留”的思路，以国家和市场需求为牵引，紧密对接产业需求，从培养创造性思维、提高专业理论水平、增强动手能力等方面加大培养力度，量身制定培养计划。 技术积累：硅材料平台依托单位承担了国家908和909重大工程及863重大专项、国家科技重大专项等多个重大项目，拥有国内多项第一的半导体硅材料科研和产业化成果，是国内硅材料领域的中坚力量。化合物半导体和锗材料平台建成了国内第一条化学气相沉积（CVD）制备红外半导体材料生产线，承担国防科工局、装备发展部、河北省等国家和地方的重要科研项目近20项。高纯金属靶材平台依托单位承担了多个包括国家重点研发计划、国家02科技重大专项、863重点项目、国家发改委高技术产业化项目、北京市科委重大项目以及国防军工等在内的靶材重大项目，拥有国内多项先进的科研和产业化成果。 硬件设备条件：工程中心拥有集成电路硅材料的核心技术和符合国际标准的先进实验设备，具有国内领先水平的试验环境和研发平台，拥有集成电路靶材技术、大批先进的靶材加工和性能检测设备，拥有多台锗晶体生长、琉系玻璃合成、加工、测试仪器等设备。 |
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