| 查看: 1238 | 回复: 13 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
haipinghu008金虫 (正式写手)
|
[交流]
【求助】请教非晶硅和微晶硅中的几个基本问题
|
||
|
1.暗电导、光电导和光敏性的含义？它能反映什么（缺陷？）？在非晶硅和微晶硅中各层对这些量的要求？ 2.在叠层电池中，上一层的N（P）和紧接的下一层P(N)为什么不构成PN？而是隧道效应导通，构成这种隧道效应需要满足什么条件？非晶和微晶硅对它们的要求？ 谢谢各位！ |
回复此楼» 猜你喜欢
奇怪，两个人的filecode固定段从头到尾一模一样
已经有9人回复
-
是这周出结果还是下周出结果？
已经有3人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
应该是93bebmhtak前后十一个字符比较关键
已经有27人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有7人回复
9楼2009-11-06 19:33:34
cord 
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 186 (高中生)
- 金币: 8374.9
- 散金: 206
- 红花: 16
- 帖子: 1745
- 在线: 206.7小时
- 虫号: 514399
- 注册: 2008-02-29
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
musi429(金币+3,VIP+0):多谢交流~ 11-4 01:25
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
musi429(金币+3,VIP+0):多谢交流~ 11-4 01:25
|
1） 暗电导和光电导是材料的电学特性，好的材料都有一个范围；光敏性等于光电导除以暗电导，表示材料的光敏特性。 非晶硅的暗电导可以反应缺陷密度，如果暗电导率大于－10方，就说明它的缺陷密度很高。而微晶硅本身的缺陷密度要比非晶高很多，从光暗电导很难看出它的缺陷密度。 在不同光强下测量非晶的电流，通过计算，可以推知非晶硅中缺陷态的高低，参考arun Madan的非晶硅一书。 掺杂层需要他们的暗电导率达到一定量级，比如P型非晶硅的暗电导率在－6方，N型非晶硅的暗电导率在－2方以上；P型微晶硅暗电导率在－1方以上，N型微晶硅暗电导率在1以上；非晶硅本征层光电导率在－5方以上，暗电导率在－10方；微晶硅光电导率在－5方以上，暗电导率在－7到－8次方。 2）叠层电池中的NP结称之为隧穿结，顶电池的光生电子和底电池的光生空穴在此复合，可以称之为PN结；但是两个掺杂层由于掺杂的作用缺陷态高，自由载流子被陷在缺陷态中，形成的PN结形式不同于晶硅中的PN结，正式由于高的缺陷态，利于光生电子和空穴的复合，所以一般称之为隧穿结。非晶硅和微晶硅对它的要求是一致的，需要光生载流子在此迅速复合。 |
2楼2009-11-04 00:39:52
andyzhao5858
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1528.9
- 散金: 43
- 红花: 2
- 沙发: 4
- 帖子: 346
- 在线: 337.8小时
- 虫号: 783686
- 注册: 2009-05-31
- 性别: GG
3楼2009-11-04 17:08:40
haipinghu008
金虫 (正式写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 1216.7
- 红花: 1
- 帖子: 392
- 在线: 467小时
- 虫号: 137942
- 注册: 2005-12-18
- 性别: GG
- 专业: 电工材料特性及其应用
4楼2009-11-04 18:47:21
100