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haipinghu008

金虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】请教非晶硅和微晶硅中的几个基本问题

1.暗电导、光电导和光敏性的含义？它能反映什么（缺陷？）？在非晶硅和微晶硅中各层对这些量的要求？
2.在叠层电池中，上一层的N（P）和紧接的下一层P(N)为什么不构成PN？而是隧道效应导通，构成这种隧道效应需要满足什么条件？非晶和微晶硅对它们的要求？
谢谢各位！

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1楼2009-11-03 21:24:39

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cord

铁杆木虫 (著名写手)

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★ ★ ★
小木虫:)(金币+3,VIP+0):3x 11-5 18:32

LZ 应该明白了电子和空穴是完全复合还是部分复合对叠层电池有利还是不利。
单结电池中的复合电流不同于叠层电池NP隧穿结处的复合电流。

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6楼2009-11-05 00:12:44

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cord

铁杆木虫 (著名写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
musi429(金币+3,VIP+0):多谢交流~ 11-4 01:25

1）暗电导和光电导是材料的电学特性，好的材料都有一个范围；光敏性等于光电导除以暗电导，表示材料的光敏特性。
非晶硅的暗电导可以反应缺陷密度，如果暗电导率大于－10方，就说明它的缺陷密度很高。而微晶硅本身的缺陷密度要比非晶高很多，从光暗电导很难看出它的缺陷密度。
在不同光强下测量非晶的电流，通过计算，可以推知非晶硅中缺陷态的高低，参考arun Madan的非晶硅一书。
掺杂层需要他们的暗电导率达到一定量级，比如P型非晶硅的暗电导率在－6方，N型非晶硅的暗电导率在－2方以上；P型微晶硅暗电导率在－1方以上，N型微晶硅暗电导率在1以上；非晶硅本征层光电导率在－5方以上，暗电导率在－10方；微晶硅光电导率在－5方以上，暗电导率在－7到－8次方。
2）叠层电池中的NP结称之为隧穿结，顶电池的光生电子和底电池的光生空穴在此复合，可以称之为PN结；但是两个掺杂层由于掺杂的作用缺陷态高，自由载流子被陷在缺陷态中，形成的PN结形式不同于晶硅中的PN结，正式由于高的缺陷态，利于光生电子和空穴的复合，所以一般称之为隧穿结。非晶硅和微晶硅对它的要求是一致的，需要光生载流子在此迅速复合。

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2楼2009-11-04 00:39:52

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