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haipinghu008金虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】请教非晶硅和微晶硅中的几个基本问题
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1.暗电导、光电导和光敏性的含义？它能反映什么（缺陷？）？在非晶硅和微晶硅中各层对这些量的要求？ 2.在叠层电池中，上一层的N（P）和紧接的下一层P(N)为什么不构成PN？而是隧道效应导通，构成这种隧道效应需要满足什么条件？非晶和微晶硅对它们的要求？ 谢谢各位！ |
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奇怪，两个人的filecode固定段从头到尾一模一样
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售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
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应该是93bebmhtak前后十一个字符比较关键
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小木虫上这么多卖论文的，真有人买论文么？感觉没必要啊
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有时候，自然基金真的不能太认真 （我的申报经验）
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cord 
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5楼2009-11-05 00:10:29
cord
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
musi429(金币+3,VIP+0):多谢交流~ 11-4 01:25
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1） 暗电导和光电导是材料的电学特性，好的材料都有一个范围；光敏性等于光电导除以暗电导，表示材料的光敏特性。 非晶硅的暗电导可以反应缺陷密度，如果暗电导率大于－10方，就说明它的缺陷密度很高。而微晶硅本身的缺陷密度要比非晶高很多，从光暗电导很难看出它的缺陷密度。 在不同光强下测量非晶的电流，通过计算，可以推知非晶硅中缺陷态的高低，参考arun Madan的非晶硅一书。 掺杂层需要他们的暗电导率达到一定量级，比如P型非晶硅的暗电导率在－6方，N型非晶硅的暗电导率在－2方以上；P型微晶硅暗电导率在－1方以上，N型微晶硅暗电导率在1以上；非晶硅本征层光电导率在－5方以上，暗电导率在－10方；微晶硅光电导率在－5方以上，暗电导率在－7到－8次方。 2）叠层电池中的NP结称之为隧穿结，顶电池的光生电子和底电池的光生空穴在此复合，可以称之为PN结；但是两个掺杂层由于掺杂的作用缺陷态高，自由载流子被陷在缺陷态中，形成的PN结形式不同于晶硅中的PN结，正式由于高的缺陷态，利于光生电子和空穴的复合，所以一般称之为隧穿结。非晶硅和微晶硅对它的要求是一致的，需要光生载流子在此迅速复合。 |
2楼2009-11-04 00:39:52
andyzhao5858
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