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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

[交流] 【求助】态密度的计算VS能带的计算?晶体Si

VASP算晶体硅,请问能带和态密度的计算有啥不同,按照网上的教程,只提供了能带的计算,态密度文件怎么得到,是能带算好后的那个DOSCAR,还是自洽计算电荷后的DOSCAR?请大家帮我理下思路,谢谢!
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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

大家说说啊
2楼2009-11-02 15:18:23
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zhxd1028

禁虫 (小有名气)

★ ★ ★
calos818(金币+1,VIP+0):谢谢!! 11-2 19:30
qasd(金币+2,VIP+0):谢谢~ 11-2 19:49
本帖内容被屏蔽

3楼2009-11-02 15:53:40
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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

谢谢,欢迎大家继续发表高见!
4楼2009-11-03 10:30:02
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405963512

铜虫 (正式写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
fegg7502(金币+1,VIP+0):thank you very much! 11-8 16:28
流程是这样的,一般静态非自洽后,计算dos,再计算能带,一套全下来,做能带的fermi能及也从dos中读出
5楼2009-11-08 14:15:34
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wangzg9292

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
计算出能带和态密度之后,能带已经很清晰了,但是大家有没有遇到过这种情况,就是Si的分波态密度的d电子态比较大
6楼2009-11-08 18:00:50
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