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求问会TCAD模拟半导体器件的大佬
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小弟是做GaN半导体器件的，目前正在学习HEMT的模拟方法。目前用的代码直接就是例子中的AlGaN/GaN 的代码，将其中器件的尺寸修改成了我实验中所用的器件尺寸，之后是可以正常运行输出的。 之后就想给该器件加上自定义的介电层，但是一旦加上介电层之后代码运行就会卡顿，还会出现如下报错，请各位大佬看看这中问题该怎么修改代码？ 提前祝各位春节快乐！新的一年paper多多，funding多多，offer多多！ （不能传图，代码在此） material material=BN user.group=insulator user.default=GaN eg300=6.0 permittivity=3.8 affinity=2.0 tc.const=3.9 elec num=1 name=source x.min=0 x.max=7 y.min=0.12 y.max=0.17 elec num=2 name=drain x.min=23 x.max=30 y.min=0.12 y.max=0.17 elec num=3 name=gate x.min=13 x.max=17 y.min=0 y.max=0.1 contact name=gate work=5 contact name=source work=3.93 contact name=drain work=3.93 warning内容如下： arning: Could not find electrode named: gate. Warning: In line # 41 No electrode specified for bias stepping. 34 ATLAS> log outf=ganfetex03_0.log ATLAS> solve name=gate vfinal=1.0 vstep=0.5 Warning: Could not find electrode named: gate. Warning: In line # 43 No electrode specified for bias stepping. 34 |
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