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Jack_ZHG

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[交流] 华中科技大学材料学院新材料与器件中心翟天佑-诸葛福伟团队2025考核制博士、硕士招生

新材料与器件研究中心（https://zml.mat.hust.edu.cn/）简介：

中心成员包括10名教授和1名工程师，均活跃在半导体光电子材料和功能器件领域研究一线，研究方向主要包括光电功能材料、集成光电子器件、类脑神经形态器件、储能材料与器件、发光材料与器件和电催化材料与器件等。中心先后承担了基金委杰青/优青/面上/青年/重点/重大培育/仪器研制、科技部重点研发计划、国家重大科学研究计划、湖北省创新群体/杰青等50余项国家级/省部级科研项目，研究经费充裕。中心拥有电子束/光刻/激光直写系统、高低温探针台、原子力显微镜、x射线衍射仪、激光共聚焦拉曼光谱仪、低温强磁场扫描探针显微镜等仪器，可以实现从材料制备、结构表征、器件加工到性能测试的系列表征和测试。

中心负责人：翟天佑，华中科技大学材料学院教授、博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，国家特殊支持计划科技创新领军人才，入选中国化学会会士、英国皇家化学会会士和全球高被引学者。发表sci论文500余篇，引用4.3万余次，h指数116。，荣获2024年度湖北省青年科技创新奖、2023年度湖北省自然科学奖一等奖、2022年度中国半导体十大研究进展等。担任中国化学会理事、中国硅酸盐学会青年委员会副主任，infomat副主编等。

诸葛福伟，华中科技大学材料学院教授，博士生导师，入选国家高层次青年人才计划。本人2006年本科毕业于复旦大学，2011年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，2011-2016年在日本大阪大学、九州大学从事博士后研究。主要从事二维半导体材料与功能器件研究，面向信息存储、视觉感知等场景发展高性能铁电晶体管、浮栅晶体管型二维半导体器件。目前，以第一、通讯作者身份已在nat. commun.、adv. mater.、j. am. chem. soc.、acs nano、adv. funct. mater. 等期刊发表论文80余篇，引用5000余次，h因子40；授权发明专利4项。主持基金委面上、青年项目和企业横向课题等，作为研究骨干参与基金委联合基金重点、科技部重点研发计划等项目。详细可参考：https://faculty.hust.edu.cn/zhugefw/zh_cn/index.htm

招生方向：二维半导体光电子材料与存储器件
招生类型：申请考核制博士1名，硕士1名，2025年秋入学
招生要求：
（1）材料、物理、化学、微电子等专业背景均可；
（2）应有良好的沟通能力和团队合作精神，申请博士需已在相关领域内应发表研究型论文1篇；
（3）具有良好的英语听说读写能力；
（4）有二维材料、光电子、信息存储器件相关研究经验或有matlab、python编程经验的优先考虑。

有意请发送简历和支撑材料至zhugefw@hust.edu.cn，标题格式“博士申请-姓名-学校”

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