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华中科技大学材料学院 新材料与器件中心翟天佑-诸葛福伟团队2025考核制博士、硕士招生
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新材料与器件研究中心(https://zml.mat.hust.edu.cn/)简介: 中心成员包括10名教授和1名工程师,均活跃在半导体光电子材料和功能器件领域研究一线,研究方向主要包括光电功能材料、集成光电子器件、类脑神经形态器件、储能材料与器件、发光材料与器件和电催化材料与器件等。中心先后承担了基金委杰青/优青/面上/青年/重点/重大培育/仪器研制、科技部重点研发计划、国家重大科学研究计划、湖北省创新群体/杰青等50余项国家级/省部级科研项目,研究经费充裕。中心拥有电子束/光刻/激光直写系统、高低温探针台、原子力显微镜、x射线衍射仪、激光共聚焦拉曼光谱仪、低温强磁场扫描探针显微镜等仪器,可以实现从材料制备、结构表征、器件加工到性能测试的系列表征和测试。 中心负责人:翟天佑,华中科技大学材料学院教授、博士生导师,国家杰出青年科学基金获得者,国家特殊支持计划科技创新领军人才,入选中国化学会会士、英国皇家化学会会士和全球高被引学者。发表sci论文500余篇,引用4.3万余次,h指数116。,荣获2024年度湖北省青年科技创新奖、2023年度湖北省自然科学奖一等奖、2022年度中国半导体十大研究进展等。担任中国化学会理事、中国硅酸盐学会青年委员会副主任,infomat副主编等。 诸葛福伟,华中科技大学材料学院教授,博士生导师,入选国家高层次青年人才计划。 本人2006年本科毕业于复旦大学,2011年博士毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所,2011-2016年在日本大阪大学、九州大学从事博士后研究。主要从事二维半导体材料与功能器件研究,面向信息存储、视觉感知等场景发展高性能铁电晶体管、浮栅晶体管型二维半导体器件。目前,以第一、通讯作者身份已在nat. commun.、adv. mater.、j. am. chem. soc.、acs nano、adv. funct. mater. 等期刊发表论文80余篇,引用5000余次,h因子40;授权发明专利4项。主持基金委面上、青年项目和企业横向课题等,作为研究骨干参与基金委联合基金重点、科技部重点研发计划等项目。 详细可参考:https://faculty.hust.edu.cn/zhugefw/zh_cn/index.htm 招生方向:二维半导体光电子材料与存储器件 招生类型:申请考核制博士1名,硕士1名,2025年秋入学 招生要求: (1)材料、物理、化学、微电子等专业背景均可; (2)应有良好的沟通能力和团队合作精神,申请博士需已在相关领域内应发表研究型论文1篇; (3)具有良好的英语听说读写能力; (4)有二维材料、光电子、信息存储器件相关研究经验或有matlab、python编程经验的优先考虑。 有意请发送简历和支撑材料至zhugefw@hust.edu.cn,标题格式“博士申请-姓名-学校” |
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