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[交流]
【请教】用符合什么特点的材料能做memory器件中存储电荷的？
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用普通的两个例子作为讨论： 1.层叠栅结构用高掺杂的多晶硅来做浮栅，多晶硅是怎么存储穿过隧穿氧化层的电荷的？（机制是什么） 2.sonos结构中使用氮化硅放在两层氧化物中间，这个存储电荷的机制是什么？（貌似是氮化硅和隧穿氧化层交界处的界面陷阱起到存储电荷的作用？） 最后总结一下，用符合什么特点的材料能做memory器件中存储电荷的？ |
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