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光致发光成像系统搭建问题
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有没有做过第三代半导体材料的光致发光成像系统搭建的同行。我们想搭建一个晶圆的光致发光成像检测系统，用于检测材料的位错缺陷。但是现在用我们搭建的试验台拍摄得到的照片完全看不到任何位错缺陷，不知道哪里出了问题。 我们的样品用的是N型碳化硅衬底材料。激光器用的325nm的He-Cd连续激光器（25mW），光斑没有进行任何扩束或聚焦，直径大概1.5mm。用功率器件检测到光斑的功率大约12mW。紫外光照射在样品上，肉眼可见激发出了红光。测过波长大约685nm。成像用的变倍镜头+CMOS。镜头前有放700nm的长波通滤光片。图像可见样品表面的划痕和灰尘。但是，没有观察到任何位错形成的暗斑或者暗线。有没有大神给指导一下，到底哪里出了问题。是不是用的激光器功率不够。还是滤光片不够，散射光没过滤掉。。。 |
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