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yxq小杨

铜虫 (小有名气)

[求助] 能带穿越 已有1人参与

第一性原理计算B掺杂氧化镓的能带结构出现了能带穿越，除了HSE06外，如何快速解决，HSE06计算速度太慢了！！！
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1楼 2024-07-09 16:09:02
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rlafite

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
除了使用HSE06（混合泛函）方法外，还有几种解决方案可以尝试，这些方法相对来说计算量更小，可以更快地得到结果：

GGA+U 方法：通过引入 Hubbard U 参数来修正局域化电子的相互作用，这种方法可以有效改善半导体和绝缘体材料的能带结构。U 值的选择需要根据材料的具体性质来调整。

自旋极化计算：如果你的体系存在磁性，可以考虑进行自旋极化计算。这可以帮助区分不同自旋态的能带结构，有时能解决能带穿越的问题。

PBE0 泛函：这是一种部分包含 Hartree-Fock 交换的混合泛函，相对于 HSE06，它在某些情况下可能计算效率更高，且能带结构的修正效果也不错。

重新优化晶格结构：有时候掺杂可能导致晶格结构的变化，重新优化晶格结构并重新计算能带结构可能会解决问题。

局域密度近似（LDA）+U修正：虽然 LDA 本身通常低估带隙，但通过加入适当的修正项（如 LDA+U），可以在某些情况下提供较好的结果。

通过添加虚拟晶体近似（VCA）方法：在某些掺杂情况下，虚拟晶体近似法可以提供更好的描述，尤其是对掺杂浓度较高的情况。

Low doping concentration, try KKR-CPA
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2楼2024-07-10 00:20:33
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yxq小杨

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by rlafite at 2024-07-10 00:20:33
除了使用HSE06（混合泛函）方法外，还有几种解决方案可以尝试，这些方法相对来说计算量更小，可以更快地得到结果：

GGA+U 方法：通过引入 Hubbard U 参数来修正局域化电子的相互作用，这种方法可以有效改善半导体 ...

好的，感谢你的回帖
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3楼2024-07-10 17:51:01
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