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Hs5gK

铁虫 (初入文坛)

[交流] 求助,SiC高温退火保护C膜的颗粒影响程度已有1人参与

小弟上手接触了碳膜溅射,但碳膜溅射出来的膜内颗粒总是比金属膜的多,颗粒看成分,也是C的成分,不知道颗粒对碳化硅高温退火过程中硅析出有没有什么影响
希望大佬能解答小弟的疑惑

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嘉仪通仪器

银虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
这边温度多高 有没有气氛环境啊 搞个样品测一下

之前有研究所用我们的退火炉对N doped GaInP/GaAs薄膜进行离子注入后退火
快速高温场能够有效修复离子注入后产生的晶格损伤;但是过长的退火时间会导致As挥发,而导致衬底的缺陷增加
退火后表面也扁的更光滑
2楼2024-06-28 17:56:41
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Hs5gK

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 嘉仪通仪器 at 2024-06-28 17:56:41
这边温度多高 有没有气氛环境啊 搞个样品测一下

之前有研究所用我们的退火炉对N doped GaInP/GaAs薄膜进行离子注入后退火
快速高温场能够有效修复离子注入后产生的晶格损伤;但是过长的退火时间会导致As挥发,而 ...

温度是常温冷镀噢~
氛围只有氩气的充盈氛围,
但溅射出来就是各种膜内颗粒团聚一样,
烦人! (╯‵□′)╯︵┴─┴

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3楼2024-07-03 11:57:02
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