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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 碳素材料 » 求助，SiC高温退火保护C膜的颗粒影响程度
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Hs5gK

铁虫 (初入文坛)

[交流] 求助，SiC高温退火保护C膜的颗粒影响程度 已有1人参与

小弟上手接触了碳膜溅射，但碳膜溅射出来的膜内颗粒总是比金属膜的多，颗粒看成分，也是C的成分，不知道颗粒对碳化硅高温退火过程中硅析出有没有什么影响
希望大佬能解答小弟的疑惑

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1楼 2024-06-17 11:50:23
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嘉仪通仪器

银虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
这边温度多高 有没有气氛环境啊 搞个样品测一下

之前有研究所用我们的退火炉对N doped GaInP/GaAs薄膜进行离子注入后退火
快速高温场能够有效修复离子注入后产生的晶格损伤；但是过长的退火时间会导致As挥发，而导致衬底的缺陷增加
退火后表面也扁的更光滑
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2楼2024-06-28 17:56:41
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Hs5gK

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 嘉仪通仪器 at 2024-06-28 17:56:41
这边温度多高 有没有气氛环境啊 搞个样品测一下

之前有研究所用我们的退火炉对N doped GaInP/GaAs薄膜进行离子注入后退火
快速高温场能够有效修复离子注入后产生的晶格损伤；但是过长的退火时间会导致As挥发，而 ...

温度是常温冷镀噢～
氛围只有氩气的充盈氛围，
但溅射出来就是各种膜内颗粒团聚一样，
烦人! （╯‵□′）╯︵┴─┴

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3楼2024-07-03 11:57:02
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