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physgao

新虫 (初入文坛)

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[交流] 上海交通大学李政道研究所高安远课题组招博士研究所和博士后

课题组拟再招聘1名具有上进心且对科研充满热情的博士研究生及1名博士后学者。尤其欢迎在以下领域有实际经验的申请者：二维材料器件制备、电输运以及光学测量。
感兴趣的同学请联系 anyuangao@sjtu.edu.cn

博士后岗位待遇：
1. 基本年薪高于30万元，具体面议。另根据工作表现以及项目情况发放绩效奖励。
2. 支持申报“博士后创新人才支持计划”、上海市“超级博士后”等人才项目，获资助者就高享受相关待遇。
3. 可申请上海交通大学配套的博士后公寓，子女可申请上附属幼儿园或小学。按照上海市和上海交通大学的博士后管理政策办理有关落户事宜，享受社会保险、公积金等福利待遇，博士后出站留上海工作，配偶及子女可随迁落户。
4. 视具体情况，优秀者聘期结束后经考核可进入上海交通大学长聘教轨体系。

高安远，李政道学者、长聘教轨副教授。2023年入选国家海外高层次青年人才计划、上海海外高层次人才计划、浦江人才计划。

2019年6月博士毕业于南京大学物理系，缪峰教授课题组。2019年7月至2020年12月在南京大学缪峰教授课题组担任副研究员。2020年1至2024年4月在哈佛大学Suyang Xu课题组从事博士后研究。2024年5月加入上海交通大学李政道研究所。

主要通过设计和制备量子器件，使用输运和光学手段研究二维材料中的新奇物理现象。取得了若干个开创性成果：1) 观测到量子度规非线性霍尔效应；2) 提出并观测到层霍尔效应； 3) 观测到弹道雪崩效应，并制作了首个弹道雪崩光电探测器和场效应晶体管； 4) 设计出高于商用性能的室温中红外光电探测器。

目前已发表学术论文30余篇，引用2600余次，h 因子为21，其中以第一作者身份发表论文包括Nature、Science、Nature nanotechnology、ACS nano，共一作者发表论文包括Science Advances、Advanced Materials。
https://tdli.sjtu.edu.cn/CN/people/tenure-track-fellows/620/AnyuanGao

课题组目前研究方向包括：1) 使用外场（包括电场、光场、应力和压力等）探测和操控二维材料中的新奇量子现象；2) 设计、制作新奇的拓扑量子器件；3) 新颖的高性能二维光电器件；4) 量子材料中的非线性输运。

代表性论文：
Anyuan Gao, et al. “Quantum metric nonlinear Hall effect in a topological antiferromagnetic heterostructure” Science 381, 181-186 (2023).
Anyuan Gao, et al. “Layer Hall effect in a 2D topological axion antiferromagnet” Nature 595, 521-525 (2021).
Anyuan Gao, et al. “Observation of ballistic avalanche phenomena in nanoscale vertical InSe/BP heterostructures” Nature nanotechnology 14, 217-222 (2019)
Anyuan Gao, et al. “Observation of the antiferromagnetic diode effect” Nature Electronics (Accepted).
Anyuan Gao, et al. “Robust impact-ionization field-effect transistor based on nanoscale vertical graphene/black phosphorus/indium selenide heterostructures”, ACS nano 14, 434-441 (2019)
Mingsheng Long, Anyuan Gao, et al. “Room temperature high-detectivity mid-infrared photodetectors based on black arsenic phosphorus” Science advances 3, e1700589 (2017) (Co-first author)
Zhiyi Zhang, Bin Cheng, Jeremy Lim, Anyuan Gao, et al. “Approaching the intrinsic threshold breakdown voltage and ultrahigh gain in a graphite/InSe Schottky photodetector” Advanced Materials 34 2206196 (2022) (Co-first author)
https://scholar.google.com/citations?hl=en&user=wsBf0mMAAAAJ

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