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gggarnet金虫 (正式写手)
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【资源】碳化硅的性质
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碳化硅可以用烧结法、反应键合法或硅化石墨法制备，不同方法得到的SiC 的致密度不同。没有加釉保护的碳化硅是靠自身生成固有的硅化物钝化原来抗氧 化的。通常，在强还原性气氛中，由于硅化物保护层会形成易挥发的SiO，导致 碳化硅加热元件易损坏。研究表明，碳化硅约在600℃以下是本征半导体，具有 较大的负电阻温度系数；申晶体也没有正电阻温度系数效应，这可能与其晶界效 应有关。在低于600℃时．不同方法制备的SiC的电阻值变化很大；而在1000℃以上，所制备的SiC的电阻值差别已很小，它们的电阻率约为10-3Ω∙m。 |
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