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nicholasyp铁杆木虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】几个关于掺杂的问题
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有一些问题不明白，希望能得到指导。 1. 掺杂后，结构的稳定性需要用phonon来验证是否稳定吗（没有实验数据），如果没有虚频出现，就可以证明此掺杂结构一定稳定吗？ 2. 如果随着掺杂的量增加，能带带隙逐渐减小，并且由P型半导体变为了n型半导体，导带的宽度增大，这能说明什么啊？ 3. DOS和PDOS的分析在实际中有什么应用啊？能够反映体系的哪些性质啊？ |
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PDOS分波态密度，可以有效地表现出s p d f各个轨道的贡献情况以及轨道间的杂化情况。2楼2009-10-18 14:12:52
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aylayl08(金币+2,VIP+0):欢迎讨论 10-18 14:52
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带隙变窄效应 这是BJT的发射区重掺杂所带来的一种不良现象。 因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg ，这就是带隙变窄效应。这种重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度NE的关系为（室温下） ΔEg = 22.5 (NE/1018 )1/2 [meV] 当重掺杂导致带隙变窄时，将相应地使发射区中的本征载流子浓度由ni变成为niE = ni2 exp[ΔEg / kT] ；发射区中本征载流子浓度的增大，就将造成发射区的少子浓度pE0也相应增加为pE0 = niE2 / NE = ( ni2/ NE ) exp[ΔEg / kT] 。于是，就使得发射结的注射效率降低。总之，发射区重掺杂可引起带隙变窄，从而导致BJT的放大性能下降。 |
3楼2009-10-18 14:44:04
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