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梦飞827

银虫 (小有名气)

[交流] 求助高人XPS数据解答

以下是我做的关于锆掺扎二氧化硅的材料,并且随着锆的含量逐渐升高,然后浸渍法负载钴制成催化剂
Samples                   Co2p3/2        Si2p3/2     Zr3d3/5      Concentration(atom%)
                                  (eV)                 (eV)        (eV)             Si           Co         Zr
10Co/SBA-15            781.04          102.86        -              33.01     0.75          -
10Co/ZS(1/100)-s     780.72          102.06     182.42      28.05     1.49        0.37
10Co/ZS(1/50)-s      780.58           102.19     182.52      27.31     1.53        0.74
10Co/ZS(1/20)-s      780.44           102.05     182.77      26.99     1.62       1.34
10Co/ZS(1/20)-i       780.41           102.60     182.95      24.99     1.72       1.43
10Co/ZS(1/8)-s        780.38           102.37     182.83      25.63     1.83       6.78
10Co/ZS(1/3)-s        780.34           102.55     182.91      25.21     2.21      13.94
10Co/ZrO2               780.31              -            183.17       -           0.91      34.15

以上数据掺扎锆之后,
(1)Si2p3/2  的结合能降低了,能否说明锆降低了钴和硅之间的作用力?
(2)Co2p3/2的结合能降低,Zr3d3/5结合能升高,能否说明 随着高含量的增加,钴和硅之间的作用力增加了?
(3)钴的含量增加能否说明表面钴的密度增加?
望哪位高人指点小弟感激不尽!
   注:ZS(1/100)是代表Zr/Si的原子比是1/100,s 代表的掺杂引入的锆,i代表锆是浸渍引入锆

[ Last edited by 梦飞827 on 2009-10-20 at 23:22 ]
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yuncld

木虫 (正式写手)

★ ★
梦飞827(金币+2,VIP+0):谢谢 10-22 00:08
愚见:
1、Zr离子势与Si接近,Zr部分取代Si掺杂有可能。所给数据(10Co/ZS(1/20)-s /-i)也说明浸渍、掺杂两种方法对Si电子结合能的影响。
2、Zr电负性比Si小,引入Zr后一定使周围原子电子结合能降低。
3、Co电子结合能变化趋势不好,因为无从知道Co在你的体系中所处位置。
选择简单,只关注生命中最重要的事。
6楼2009-10-21 10:00:09
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xiaolong3097

新虫 (著名写手)


梦飞827(金币+1,VIP+0): 10-19 23:43
请教楼主,你的信息中 ZS(1/100)代表什么意思,而后面的-s又代表什么,不知道这些信息没法分析。
爱人是路,朋友是猪,人生只有一条路,路上会有好多猪,有钱的时候别走错路,缺钱的时候别卖猪,幸福的时候别迷路,休息的时候喂喂猪.
2楼2009-10-19 21:57:32
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梦飞827

银虫 (小有名气)

不好意思,ZS(1/100)是代表Zr/Si的原子比是1/100,s 代表的掺杂引入的锆,i代表锆是浸渍引入锆,谢谢楼主,望您给出解答!
3楼2009-10-19 23:43:09
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xyliu2010

铁杆木虫 (正式写手)

2楼的高人,我们都在等你的精彩点评呢,向你学习啦
做一个人人羡慕的自由女神!
4楼2009-10-21 00:39:54
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