| 查看: 654 | 回复: 0 | ||
| 【悬赏金币】回答本帖问题，作者taozhangfeng将赠送您 10 个金币 | ||
taozhangfeng金虫 (小有名气)
|
[求助]
异质结不同材料引起的压电场问题？
|
|
|
大家好，我想问下在InGaN/GaN MQW 中InGaN上长AlGaN 时为什么压电场会变大? 我的理解是InGaN在GaN上生长会造成压应变引起的电场变大，但是在InGaN上长AlGaN会造成张应变引起的电场变大，压应变和张应变引起的电场方向会相反，不是会抵消压电场的总和吗？怎么会加强压电场呢？ |
回复此楼» 猜你喜欢
生命口会评
已经有7人回复
-
今年E04面上
已经有23人回复
-
27届辽宁大学应届毕业生申博
已经有3人回复
-
关于如何从代码看上不上会
已经有23人回复
-
大龄残疾硕士的一点执念
已经有25人回复
-
chemdraw
已经有6人回复
-
祈祷青基必中
已经有10人回复
-
b口会评
已经有6人回复
-
信息学部会评时间
已经有3人回复
-
在职考研
已经有7人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
