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对pw.x计算的一些问题，望解答！
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在网上看到有说“pw.x约定：在同一目录，并保持outdir、prefix一致时，先运行vc-relax、relax计算，在接着的scf、nscf、bands计算会读取之前弛豫后的结构，而忽略此时的结构设置。所以，此时做scf计算，修改的地方是：将calculation=’vc-relax’改成calculation=’scf’，其他部分与上一步输入文件相同。”对此我有以下几点疑问： 1.outdir、prefix一致时我做完自洽再做非自洽是不是就把自洽产生的文件覆盖了？如果我做完vc-relax、scf、nscf，发现我scf计算有问题，要重新修改scf.in，再次提交，覆盖的文件对scf计算会产生影响吗 2.比如说我在一个目录内做了vc-relax计算，但是scf计算我想测试不同参数会产生什么影响，然后我复制了这个做完vc-relax的文件夹产生一个新的文件夹，此时scf计算还会读取弛豫后的结构吗？ 3.计算bands时要加入nbnd="",那在scf计算的时候就要加入这个参数吗？这个加的早晚有什么影响？ 非常感谢，望您不吝赐教！ 发自小木虫Android客户端 |
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送红花一朵 3楼2024-02-03 15:01:26
卡开发发
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- 专业: 金属材料的磨损与磨蚀
- 管辖: 第一性原理
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1、一般来说from scratch的情况不会对scf产生影响，但如果restart可能会有影响，或者读取波函数或势的情况会造成影响，我自己习惯上对nscf或者band计算之前会把scf目录备份一下防止出现一些乱七八糟的情况。 2、不会，你需要把out文件当中最后的结构手动更新到新的inp的结构部分，这样才是用的驰豫后的结构进行scf。 3、scf是否加入看场景。这里得先提到一个概念，就是平面波的基尺寸很大，所以一般不会求解全部的本征值，而是采用迭代对角求解较低的那些能级，nbnd就是控制求解能级数目的参数。然后存在如下三个场景： （1）对于绝缘体来说，基本上求解到价电子最高占据能级即可，即fix occupancy. （2）对金属或者窄带半导体或者磁性体系，一个是因为引入展宽（电子有限温度）来加速BZ积分收敛但会引入电子的分数占位，一个是自旋极化情况会导致alpha或者beta电子会占据到更高的能级，这样要的nbnd就会更大一些，程序尽管有预设，但也有不太正常的时候需要手动调。 （3）上述两种情况自洽后需要计算能带的时候，我们需要看到导带甚至更高能级的信息，这个时候会通过设置更大的nbnd求解那些较高的能级，为了提高效率采用非自洽（即一般nscf或band的任务）读取当前密度通过Harris-Foulkes泛函估计能级而不重新自洽，这在场景在(P)DOS和能带计算中比较常见。 |
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2楼2024-02-01 13:30:05
