| 查看: 1196 | 回复: 5 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
颖颖的老虎铁虫 (小有名气)
|
[求助]
castep问题 已有1人参与
|
||
| 请问氧化镓GGA+U的U值设置为多少？ |
回复此楼» 猜你喜欢
211本，11408一志愿中科院277分，曾在中科院自动化所实习
已经有7人回复
-
26申博
已经有3人回复
-
求调剂，总分315，考的生物医药，一志愿湖南师范大学。调剂到任何专业都可以
已经有3人回复
-
材料专硕306英一数二
已经有7人回复
-
材料工程专硕274一志愿211求调剂
已经有6人回复
-
一志愿南京大学，080500材料科学与工程，调剂
已经有4人回复
-
332求调剂
已经有5人回复
-
271求调剂
已经有14人回复
-
275求调剂
已经有4人回复
-
302求调剂
已经有8人回复
wangyikeco
木虫 (正式写手)
newbie
- 应助: 84 (初中生)
- 金币: 7058
- 帖子: 545
- 在线: 111.8小时
- 虫号: 25598800
- 注册: 2021-03-03
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
|
GGA+U可以算替位掺杂性质 有两种方法算替位掺杂性质 1。超胞supercell，先用单胞构建l*m*n*大晶胞，再替换其中一个或几个单胞中的原子达到你所要的搀杂浓度 {https://vaspkit.com/tutorials.html#band-unfolding} 2。相干势能近似coherent potential approximation， KKR-CPA {https://iopscience.iop.org/artic ... 84/19/36/365232/pdf} |
6楼2023-12-26 23:50:33
wangyikeco
木虫 (正式写手)
newbie
- 应助: 84 (初中生)
- 金币: 7058
- 帖子: 545
- 在线: 111.8小时
- 虫号: 25598800
- 注册: 2021-03-03
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
颖颖的老虎: 金币+45, ★★★★★最佳答案 2023-12-20 08:22:35
颖颖的老虎: 金币+45, ★★★★★最佳答案 2023-12-20 08:22:35
|
氧化镓（Ga2O3）的GGA+U计算中的U值通常需要通过一系列的测试和优化来确定，因为这个值取决于计算方法、计算软件和具体研究系统等多个因素。GGA+U方法主要用于修正密度泛函理论（GGA，Generalized Gradient Approximation）对于过渡金属氧化物等系统的电子结构的不足之处。 对于GGA+U的参数优化，通常的做法是尝试一系列不同的U值，然后通过与实验结果的比较或其他已知的准确计算结果来确定最优的U值。这需要一定的计算资源和经验。 如果你在使用特定的计算软件，建议查阅该软件的文档或相关文献，以获取对于氧化镓系统的最佳U值的推荐或最佳实践。此外，可以查阅已发表的文献，看看其他研究中使用的U值是多少，以及他们是否有详细的优化过程。 总的来说，GGA+U方法中的U值并非通用的，最佳值取决于具体的研究系统和计算条件。 Example 1: For the calculations of formation energies, electronic structures and optical properties, the GGA+U method was adopted. After series tests, the Ud value for Ga-3d and Up value for O-2p were set at 7.0 eV and 8.5 eV, respectively. Under this correction, the reasonable results can be obtained. {https://www.nature.com/articles/srep40160} Example 2: In order to obtain the accurate bandgap of β-Ga2O3, the GGA + U method is adopted and the parameters of Ud,Ga and Up,O are set to be 14.0 eV and 8.35 eV, respectively. The energy cutoff of the plane-wave basis is set to be 450 eV for the calculation of electronic structures and 600 eV for the calculation of optical properties. {https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/28/1/016301} |
2楼2023-12-20 04:16:17
wangyikeco
木虫 (正式写手)
newbie
- 应助: 84 (初中生)
- 金币: 7058
- 帖子: 545
- 在线: 111.8小时
- 虫号: 25598800
- 注册: 2021-03-03
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2023-12-20 04:18:22
颖颖的老虎
铁虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 209.8
- 散金: 10
- 帖子: 170
- 在线: 17.8小时
- 虫号: 33475496
- 注册: 2023-03-28
- 专业: 电磁环境与电磁兼容
4楼2023-12-26 08:47:24
