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[交流]
【交流】偏压对隧穿磁电阻的影响
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请教大家一个问题：在铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁的多层膜结构中，采用 Slonczewski近自由电子模型处理时，应如何给出有机半导体层的哈密量，也就是说我们应该如何考虑有机半导体层？加上偏压以后又有什么变化？ |
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