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[交流]
【求助】红外白光干涉技术测量三维形貌
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利用红外光对半导体材料的透射特性，将白光干涉技术从可见光波段推广到红外波段，通过红外光的透射反射干涉测量微结构的形貌。附件干涉条纹图中图1为正面非透射情况下测得的干涉条纹，图2为将样品翻转后用红外光透射情况下测得的干涉条纹。从图1可看到条纹在高度变化处发生了明显的变化，图2中在高度变化处条纹未发生任何变化，请问： （1）对图2中的干涉条纹怎么处理才能测得其形貌和高度变化信息？ （2）利用透射后的干涉条纹能否实现形貌测量？ （3）红外光在Si、GaAs材料中传播时材料对光是如何影响的？当材料厚度及高度变化为多大时才能够利用透射后的干涉条纹实现内部结构形貌测量？ [ Last edited by 三个小石子 on 2010-8-26 at 11:46 ] |
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