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[交流]
Ge(110)表面CVD生长石墨烯
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为什么照着很多文献做，做不出来，而且理论910度是完美的生长温度，我910度Ge片上会起很多条装沟槽，方向与气流方向一致。 测拉曼也没有石墨烯的峰 低压下更是毁了，整个Ge片上都是线条状沟槽 发自小木虫IOS客户端 |
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