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wangyunkai

新虫 (初入文坛)

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[求助] 硅上生长薄膜的问题

我们实验室有台PLD和磁控溅射设备，但也是刚准备开始用，很多问题不懂。我想在硅基片上直接生长一种铁电薄膜，组成Au/铁电层/Si电容器结构，用硅作为底电极。但硅在空气中会有自然氧化层，导致绝缘。怎样才能把底电极引出来做电学测试呢？

我的想法是在硅片正面or背面溅射一小块金属电极，与硅欧姆接触，铁电膜在金属电极没覆盖的地方沉积。问题是怎样让电极与Si良好接触？我设想了两种可能的方法：
（1）溅射Al电极，在N2中加热，据资料说可以让Al穿过氧化层，与si接触在一起。请问这种方法可行吗？有没有别的方法能不去除氧化层也能引出Si电极呢？
（2）如果必须去除氧化层，一般就是用氢氟酸刻蚀。然后溅射金属电极如au，最后生长铁电薄膜。（不能先生长薄膜再制备电极，因为生长温度很高，硅表面可能会重新形成氧化层）

（上传不了图片，请点开链接查看示意图）***链接***：https://www.jianshu.com/p/ae44bec27872?v=1692237680560

可能的困难：
（1）铁电膜在O2气氛中沉积，温度最高7、800℃。在高温下Au或Al会不会脱落或者氧化，或产生别的问题？
（2）氢氟酸有一定危险性，实验室还需要再买通风橱，我是想能不用尽量先不用。（如果必须要用也没办法）

总之核心问题是，有没有简单方法在有自然氧化层的硅片上制造与硅良好接触的电极触点？
问题可能有些愚蠢，希望不吝赐教~谢谢！

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