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yanzhua新虫 (小有名气)
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[交流]
正电子湮没寿命谱仪
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技术指标 1)可以进行正电子湮没寿命谱测量 2)具有示波器功能 3)时间分辨率≦190ps 4)能量分辨率≦3.5%@1.28MeV 5)时间采样率≧5G/SPS 6)幅度分辨率≧14位 7)可视化调整能窗 8)能窗自动识别功能 9)闪烁体探测器溴化镧晶体尺寸≧Φ25mm x L20mm； 10)阳极脉冲上升时间≦0.7ns； 11)渡越时间分散≦0.37ns； 12)探测器集成分压电路、磁屏蔽 13)采用22Na放射源，活度：≧20μCi 产品规格 14)外观尺寸：575mm*440mm*300mm 15)供电：220V AC 16)系统：Win10 64位 多点触控 产品特点 正电子淹没寿命谱仪的一个显著特点是对凝聚态物质中纳米尺寸缺陷极为灵敏。正电子寿命与缺陷尺寸有很大的关系。正电子寿命测量可以探测材料中缺陷尺寸和浓度，通过数据分析，还能得到缺陷尺寸的分布。正电子探测缺陷的深度可以从最外层表面直到100μm，探测缺陷的尺寸在 0.1-1nm 范围。其他的测试方法各有各的长处，扫面隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM) 主要用于研究最外层的缺陷，不能探测到样品体内；中子散射能探测深度在 1mm 以上的体内缺陷结构，但对缺陷尺寸和浓度的鉴别力就比较差；常见的透射电子显微镜(TEM )探测深度在 1-100nm 的范围，但是当缺陷尺寸小于 1nm 时，它的分辨率就比较差。 正电子淹没寿命谱仪与传统透射电镜(TEM)，小角中子散射(SANS)等实验方法相比，在时间尺度上，微观结构的演变可以精确到 ps 量级；在微观尺寸上，可以精确到纳米及亚纳米量级，这些优势是其他实验手段难以实现的。 正电子淹没寿命谱仪还有个特点，那就是它是一种无损检测技术，它不需要特殊的样品制备技术，而且能进行原位 (in-situ) 测量，测量过程中还可以改变样品的温度和其他条件。 产品应用 正电子淹没寿命谱仪可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷(空位、位错和辐照损伤等)，固体中的相变，金属有序-无序相变等。在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应，鉴定有机物结构中的碳正离子，研究聚合物的微观结构等。在生物学中，研究生物大分子在溶液中的结构。  正电子湮没谱仪.png |
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