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有偿求助单晶的电导率测试
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有偿求助单晶电导率的测试。 测试方法大致如下：在10 ( OTf )单晶上使用Signatone 1160探头站在基思利4200 SCS上使用双探头法进行电导率测量。采用乙醚在TCE中的10 ( OTf )溶液中的溶剂扩散法生长晶体。然后将晶体安装在干净的载玻片上，并在晶体两端涂抹石墨浆(电子显微镜科学,石墨导电胶112)。通过校准的光学显微镜测定晶体尺寸，以确定导电通道的宽度。然后将载玻片放置在探针台卡盘上，并将安装在微操作器(⑤µ m分辨率)上的钨探针放下来接触石墨糊进行测量。在室温、湿度为0 %的黑暗条件下，在手套箱中进行- 1 V到1 V的I - V曲线测试。由于仪器限制，将1 MΩ电阻串联起来采集数据。确定了电阻的值为976334.3Ω，并将此值用于反演电阻10 ( OTf )。 |
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